-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111710733A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010529281.5
申请日：2020-06-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/11
Abstract: 一种基于锑化物超晶格的甚长波红外探测器结构，包括从下到上的以下结构：衬底，缓冲层，甚长波波段吸收层，中长波波段势垒层，甚长波波段欧姆接触层，顶盖层；缓冲层外延于所述衬底之上；本发明拥有良好载流子输运性能的锑化物超晶格甚长波红外探测器。本发明引入了同型结和分段掺杂，同时对各个区域超晶格结构，掺杂浓度和厚度进行了调控以得到高综合探测率的红外探测器结构。
-
公开(公告)号：CN111710732A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010528821.8
申请日：2020-06-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 基于锑化物超晶格的甚长波红外探测器，包括从下到上的以下结构：衬底，缓冲层，中长波欧姆接触层，甚长波波段吸收层，中长波波段势垒层，中长波波段接触层，顶盖层；缓冲层外延于所述衬底之上；中长波波段接触层称为P区，外延于所述缓冲层之上；甚长波波段吸收层称为π区，外延于所述中长波波段接触层P区之上；中长波波段势垒层，外延于所述吸收层之上；中长波波段接触层，外延于所述势垒层之上；本发明结构引入了高掺杂的吸收区进一步降低扩散暗电流以使红外探测器具备高综合探测率。
-
公开(公告)号：CN110797424B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911117680.4
申请日：2019-11-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 一种具有暗电流抑制结构的锑化物超晶格甚长波红外探测器，以抑制器件暗电流并提高光生载流子输运。包括以下结构：衬底；缓冲层，外延于所述衬底之上；中长波波段接触层，称为P区，外延于所述缓冲层之上；甚长波波段吸收层，称为π区，外延于所述中长波波段接触层P区之上；中长波波段势垒层，称为M区，外延于所述甚长波波段吸收层π区之上；中长波波段接触层，称为N区，外延于所述中长波波段势垒层M区之上；盖层外延于所述中长波波段接触层N区之上；调整控制各个区域的超晶格结构，吸收层与势垒层的掺杂方式及厚度以设计所述红外探测器器件的能带结构。该结构基于PπMN结构，提出了全新势垒结构设计涉及超晶格、厚度和掺杂。
-
公开(公告)号：CN110797424A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911117680.4
申请日：2019-11-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 一种具有暗电流抑制结构的锑化物超晶格甚长波红外探测器，以抑制器件暗电流并提高光生载流子输运。包括以下结构：衬底；缓冲层，外延于所述衬底之上；中长波波段接触层，称为P区，外延于所述缓冲层之上；甚长波波段吸收层，称为π区，外延于所述中长波波段接触层P区之上；中长波波段势垒层，称为M区，外延于所述甚长波波段吸收层π区之上；中长波波段接触层，称为N区，外延于所述中长波波段势垒层M区之上；盖层外延于所述中长波波段接触层N区之上；调整控制各个区域的超晶格结构，吸收层与势垒层的掺杂方式及厚度以设计所述红外探测器器件的能带结构。该结构基于PπMN结构，提出了全新势垒结构设计涉及超晶格、厚度和掺杂。
-
公开(公告)号：CN111710733B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202010529281.5
申请日：2020-06-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/11
Abstract: 一种基于锑化物超晶格的甚长波红外探测器结构，包括从下到上的以下结构：衬底，缓冲层，甚长波波段吸收层，中长波波段势垒层，甚长波波段欧姆接触层，顶盖层；缓冲层外延于所述衬底之上；本发明拥有良好载流子输运性能的锑化物超晶格甚长波红外探测器。本发明引入了同型结和分段掺杂，同时对各个区域超晶格结构，掺杂浓度和厚度进行了调控以得到高综合探测率的红外探测器结构。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.012 seconds)
