公开(公告)号：CN118547266A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410606200.5

申请日：2024-05-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 王军转 ,  安钧洋 ,  胡志研 ,  余林蔚

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22 ,  C23C14/02 ,  C23C14/10 ,  C23C14/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开一种可精准定位生长堆叠硅锗岛链纳米线的方法，包括获得金属催化液滴移动的引导沟槽；沉积至少一组a‑Ge前驱体和SiO2或者SiNx的叠层；垂直引导沟槽刻蚀所述叠层形成斜切面叠层结构；在引导沟槽的一端制备条状催化金属；利用还原性气体等离子体处理催化金属层，使其转变成为分离的金属纳米颗粒；在整个样品表面覆盖一层与所需生长Si纳米线匹配的a‑Si前驱体；在真空或气体氛围中进行退火处理，使催化金属纳米颗粒吸收a‑Si前驱体并沿着所述引导沟槽向a‑Si‑a‑Ge叠层的斜切面移动，并在催化金属颗粒后端形成晶态Si纳米线‑晶态SiGe岛‑晶态Si纳米线的三维结构。