公开(公告)号：CN111244219A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010051089.X

申请日：2020-01-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  侯国智 ,  王朝晔

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/055 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种用于太阳能热光伏电池的硅基单面集成吸收发射器，包括顶层太阳能聚光系统、底部的选择性吸收发射器、环绕在选择性吸收发射器周围的窄带隙光伏电池以及选择性吸收发射器下部的储热层；所述选择性吸收发射器包括硅片衬底以及设置在所述硅片衬底上的若干个不同深度层次的扇形侧壁纳米孔阵列。本发明提出的无光刻简易制备的硅基半导体金属复合结构，利用其独特光学特性可应用为太阳能热光伏系统的单面集成吸收发射器，得到更高的太阳能转换效率。

公开(公告)号：CN111244219B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010051089.X

申请日：2020-01-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  侯国智 ,  王朝晔

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/055 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种基于硅基单面集成吸收发射器的太阳能热光伏电池，包括顶层太阳能聚光系统、底部的选择性吸收发射器、环绕在选择性吸收发射器周围的窄带隙光伏电池以及选择性吸收发射器下部的储热层；所述选择性吸收发射器包括硅片衬底以及设置在所述硅片衬底上的若干个不同深度层次的扇形侧壁纳米孔阵列。本发明提出的无光刻简易制备的硅基半导体金属复合结构，利用其独特光学特性可应用为太阳能热光伏系统的单面集成吸收发射器，得到更高的太阳能转换效率。