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公开(公告)号：CN117637270A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311684313.9
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01C17/075 , H01C7/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化钽埋嵌式薄膜电阻晶相调控及制备方法，该埋嵌式薄膜电阻材料为氮化钽，通过磁控溅射技术在硅衬底上以纯钽靶，氮气与氩气的混合气进行溅射得到氮化钽薄膜，对溅射过程中的晶相加以调控，经实验表明，为获得接近0的TCR值可选取氮分压为5％，气体流量60sccm的溅射条件，此时晶相以Ta4N为主，为获得较大方阻值，可选取氮分压为20％，气体流量为40sccm的溅射条件，此时晶相以TaN为主。该方案通过调控晶相调控方阻与电性能稳定性，其温度电阻系数小、阻值可调范围大(从导体到绝缘体可调)，应用前景广泛。
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