公开(公告)号：CN102938409B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201210442007.X

申请日：2012-11-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  马浩文 ,  沈忱 ,  卜晓峰 ,  吴福伟 ,  夏好广 ,  张佳辰

IPC: H01L27/146

Abstract: 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。

公开(公告)号：CN107658321A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201610592997.3

申请日：2016-07-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 马浩文 ,  闫锋 ,  卜晓峰 ,  沈忱 ,  张丽敏 ,  杨程 ,  毛成

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅的双器件光敏探测单元、探测器及其方法。其中，光敏探测单元包括复合介质栅MOS-C部分和复合介质栅MOSFET部分，这两部分形成在同一P型半导体衬底的上方，并共用电荷耦合层。多个上述光敏探测单元在同一P型半导体衬底上排成阵列形成探测器，探测器中相邻单元像素之间通过深槽隔离区以及隔离区下方的P+型注入区来实现隔离。探测时，复合介质栅MOS-C部分的P型半导体衬底感光，然后将光电子耦合到电荷耦合层，光电子信号通过复合介质栅MOSFET部分进行读取。本发明可以很好地实现光信号的探测，具有较好的弱光响应和线性度，同时没有明显的饱和现象，有比较大的动态范围和比较高的量子效率。

公开(公告)号：CN102938409A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210442007.X

申请日：2012-11-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  马浩文 ,  沈忱 ,  卜晓峰 ,  吴福伟 ,  夏好广 ,  张佳辰

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/374

Abstract: 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。