公开(公告)号：CN85102577B

公开(公告)日：1988-06-01

申请号：CN85102577

申请日：1985-04-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 章德 ,  水永安 ,  吴文虬

IPC: H03H9/64

Abstract: 本发明是单相无调谐表面漏波低插损滤波器，属声表面波技术。本发明合理地选择了基片的材料，及设计结构，滤波器的相对带宽提高到１５％至２０％，在无调谐电路时损耗在３ｄＢ左右，且结构简单，可广泛用于电子领域中。本发明的主要技术特征是基片材料选用４０°至６５°Ｙ旋转切割，Ｘ传播方向的ＬｉＮｂＯ↓［３］。滤波器结构采用由两个转移反射器和两个叉指换能器组成的结构，其中转移反射器可由窄带型或宽带型转移反射式多条耦合反射器组成。

公开(公告)号：CN85102577A

公开(公告)日：1986-09-17

申请号：CN85102577

申请日：1985-04-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 章德 ,  水永安 ,  吴文虬

IPC: H03H9/64

Abstract: 本发明是单相无调谐表面漏波低插损滤波器，属声表面波技术。本发明合理地选择了基片的材料，及设计结构，滤波器的相对带宽提高到15％至20％，在无外调谐电路时损耗在3dB左右，且结构简单，可广泛用于电子领域中。本发明的主要技术特征是基片材料选用40°至65°Y旋转切割，X传播方向的LiNbO3。滤波器结构采用由两个转移反射器和两个叉指换能器组成的结构，其中转移反射器可由窄带型或宽带型转移反射式多条耦合反射器组成。