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公开(公告)号：CN100408166C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610037753.5
申请日：2006-01-13
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: AgTO2型复合氧化物可见光响应光催化材料，其一般式为AgTO2表示的复合氧化物半导体所构成的光催化材料(式中T表示Al，Ga，In，Cr，Fe，Co，Ni元素)。并可以进行掺杂改性，在AgTO2中掺入一定量的金属，包括：碱金属、碱土金属、过渡族金属、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi元素，采用上述金属的氧化物、氢氧化物、各种无机盐及有机盐类为原料，掺杂量为0.1%-10%(质量分数)。该复合氧化物半导体可以用于光催化分解有害化学物质。作为分解有害化学物质的光催化材料时，其特点是：在包括紫外光及可见光在内的光线照射下，对于有害化学物质能够高效地分解与去除。
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公开(公告)号：CN1958158A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610096329.8
申请日：2006-09-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 氧化钴、氧化镍催化材料，采用氧化钴或氧化镍颗粒，包括氧化钴CoO，三氧化二钴Co2O3及四氧化三钴Co3O4三种氧化物半导体或混合物、氧化镍NiO、三氧化二镍Ni2O3或混合物作为催化剂，粒子的大小为10nm～2000nm。其应用是以所述的氧化钴或氧化镍颗粒在光照的情况下，在反应温度65－200℃条件下高效的降解汽车尾气的废气或气体有机污染；光源是太阳光或者荧光灯以及其他光源。
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公开(公告)号：CN1799690A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200610037753.5
申请日：2006-01-13
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: AgTO2型复合氧化物可见光响应光催化材料，其一般式为AgTO2表示的复合氧化物半导体所构成的光催化材料(式中T表示Al，Ga，In，Cr，Fe，Co，Ni元素)。并可以进行掺杂改性，在AgTO2中掺入一定量的金属，包括：碱金属、碱土金属、过渡族金属、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi元素，采用上述金属的氧化物、氢氧化物、各种无机盐及有机盐类为原料，掺杂量为0.1％－10％(质量分数)。该复合氧化物半导体可以用于光催化分解有害化学物质。作为分解有害化学物质的光催化材料时，其特点是：在包括紫外光及可见光在内的光线照射下，对于有害化学物质能够高效地分解与去除。
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公开(公告)号：CN1799691A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200610037755.4
申请日：2006-01-13
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: Ag2ZO4型复合氧化物可见光响应光催化材料及其制备与应用，是通式为Ag2ZO4表示的复合氧化物半导体所构成的光催化材料(式中Z表示Cr，Mo，W，Mn元素)。Ag2ZO4型复合氧化物可见光响应光催化材料的掺杂改性：在Ag2ZO4中掺入碱金属、碱土金属、过渡族金属、Al、Ga、In、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi元素，实现Ag2ZO4的稳定性、耐光性等性质的改性，掺杂量为0.1％－10％(质量分数)。该复合氧化物半导体可以用于光催化分解有害化学物质。作为分解有害化学物质的光催化材料时，其特点是：在包括紫外光及可见光在内的光线照射下，对于有害化学物质能够高效地分解与去除。
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