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公开(公告)号：CN115557536A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110746384.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 南京大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明公开一种制备单层二硫化钼纳米片的方法，主要包括：配置有机溶剂和钼酸铵混合溶液，采用双温区化学气相沉积系统对所述有机溶剂和钼酸铵混合溶液进行预处理，使得钼酸铵析出并均匀分布于衬底表面，预处理完毕后，采用化学气相沉积工艺在衬底表面制得单层二硫化钼纳米片。本发明由于有机溶剂的加入使得溶液更易于均匀分布于衬底表面。本发明可适用于在不同衬底上直接生长单层二硫化钼纳米片，满足不同领域对衬底的需求，有效避免转移过程带来的污染，具备较大的应用潜能。
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