公开(公告)号：CN109941962A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910240844.6

申请日：2019-03-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  徐顺 ,  吴小祥 ,  王军转

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种电学连接高密度坡面台阶纳米线的方法，利用光刻胶在交替刻蚀工艺中，局部曲率不同导致退蚀速率不一样，从而在台阶高曲率(如条带的两端)位置实现比低曲率(或者平直)位置宽得多的台阶面，如此有利于在宽台阶上方便地制备电极，实现对陡壁上高密度纳米线阵列的分别电学连接，为实现高密度堆叠的分立纳米线场效应器件提供极大的方便。

公开(公告)号：CN109941962B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201910240844.6

申请日：2019-03-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  徐顺 ,  吴小祥 ,  王军转

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种电学连接高密度坡面台阶纳米线的方法，利用光刻胶在交替刻蚀工艺中，局部曲率不同导致退蚀速率不一样，从而在台阶高曲率(如条带的两端)位置实现比低曲率(或者平直)位置宽得多的台阶面，如此有利于在宽台阶上方便地制备电极，实现对陡壁上高密度纳米线阵列的分别电学连接，为实现高密度堆叠的分立纳米线场效应器件提供极大的方便。