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公开(公告)号:CN119297728A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411394627.X
申请日:2024-10-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种微盘腔的制备方法和微盘腔,其中,该方法包括:提供硅衬底;在硅衬底的一侧形成氧化硅层;对氧化硅层远离硅衬底的一面以及氧化硅层的侧壁进行化学机械抛光处理;对硅衬底进行刻蚀处理,使氧化硅层的边缘处悬空。本发明的技术方案可以应用在任意尺寸的微盘腔的制备中,在不依赖于光刻和刻蚀过程中的参数优化的情况下,减小微盘腔侧壁的粗糙度。