公开(公告)号：CN105449030B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201511018027.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 张佳辰 ,  张铁 ,  吴福伟

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/02

Abstract: 一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器，光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，厚度为100～300nm；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准半导体工艺中填充氧化物隔开；光学天线采用偶极子天线或领结形天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为1017～1020原子/每立方厘米；天线厚度与晶体管源漏端厚度相同，将天线分别与源漏连成一整体。

公开(公告)号：CN105449030A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201511018027.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 张佳辰 ,  张铁 ,  吴福伟

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L31/112 ,  H01L31/02

Abstract: 一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器，光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，厚度为100～300nm；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准半导体工艺中填充氧化物隔开；光学天线采用偶极子天线或领结形天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为1017～1020原子/每立方厘米；天线厚度与晶体管源漏端厚度相同，将天线分别与源漏连成一整体。