一种循环交替刻蚀同质多级坡面台阶引导生长纳米线阵列的方法

    公开(公告)号:CN108557758B

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201810127391.1

    申请日:2018-02-08

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 一种循环交替刻蚀同质多级坡面台阶引导生长纳米线阵列的方法,1)以晶硅、玻璃、聚合物或者介质层覆盖的金属薄膜作为衬底;2)利用光刻、电子束刻蚀或者掩模板技术,定义引导台阶预定的坡面位置即将台阶边缘图案转移到衬底上;再用ICP或者RIE交替循环刻蚀方法刻蚀出坡面多级台阶结构直到衬底表面;3)利用光刻工艺和蒸发或者溅射等金属淀积工艺,在坡面台阶之一端,制备包括铟或锡金属的催化层;4)通过PECVD,CVD或者PVD沉积技术,在样品表面覆盖与所需生长纳米线相应的非晶半导体前驱体薄膜层;5)生长纳米线;6)剩余非晶前驱体层通过氢气等离子体或者相应的ICP、RIE刻蚀工艺清除。

    一种循环交替刻蚀同质多级坡面台阶引导生长纳米线阵列的方法

    公开(公告)号:CN108557758A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810127391.1

    申请日:2018-02-08

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 一种循环交替刻蚀同质多级坡面台阶引导生长纳米线阵列的方法,1)以晶硅、玻璃、聚合物或者介质层覆盖的金属薄膜作为衬底;2)利用光刻、电子束刻蚀或者掩模板技术,定义引导台阶预定的坡面位置即将台阶边缘图案转移到衬底上;再用ICP或者RIE交替循环刻蚀方法刻蚀出坡面多级台阶结构直到衬底表面;3)利用光刻工艺和蒸发或者溅射等金属淀积工艺,在坡面台阶之一端,制备包括铟或锡金属的催化层;4)通过PECVD,CVD或者PVD沉积技术,在样品表面覆盖与所需生长纳米线相应的非晶半导体前驱体薄膜层;5)生长纳米线;6)剩余非晶前驱体层通过氢气等离子体或者相应的ICP、RIE刻蚀工艺清除。

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