-
公开(公告)号：CN112363096A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011037595.X
申请日：2020-09-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种高质量CrxBi2‑xTe3磁性拓扑绝缘体薄膜的制备工艺以及其特征在于采用分子束外延生长技术(MBE)制备Cr掺杂Bi2Te3磁性薄膜。该制备工艺可以获得大面积，可调控的薄膜材料。采用反应等离子耦合(ICP)刻蚀技术将该磁性薄膜刻蚀出标准的霍尔片形状，测试其霍尔灵敏度。通过调控Cr的掺杂浓度，可以获得具有不同灵敏度的反常霍尔效应磁传感器。并通过优化掺杂浓度，获得基于磁性CrxBi2‑xTe3薄膜反常霍尔效应的磁传感器的最大灵敏度可达6625Ω/T，该高灵敏度的磁传感器可非常稳定地用于低温超导材料的研究以及低温磁场探测。
Search Results
1
records
(took 0.011 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
