公开(公告)号：CN116261394B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202310066764.X

申请日：2023-01-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  孙松 ,  雷锦 ,  刘畅 ,  吴迪

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开了一种具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器，属于半导体微电子器件领域，本发明的阻变存储器结构从下往上依次为衬底、活性电极、阻变功能层、惰性电极；所述阻变功能层为无机‑有机杂化纳米多孔薄膜材料。本发明利用分子层沉积和原子层沉积技术来制备具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。

公开(公告)号：CN116261394A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310066764.X

申请日：2023-01-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  孙松 ,  雷锦 ,  刘畅 ,  吴迪

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开了一种具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器，属于半导体微电子器件领域，本发明的阻变存储器结构从下往上依次为衬底、活性电极、阻变功能层、惰性电极；所述阻变功能层为无机‑有机杂化纳米多孔薄膜材料。本发明利用分子层沉积和原子层沉积技术来制备具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。

公开(公告)号：CN118510379A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410672904.2

申请日：2024-05-28

Applicant: 南京大学 ,  江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李爱东 ,  朱琳 ,  孙松 ,  张楚怡 ,  黎微明 ,  吴迪

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种基于氨基酸的有机‑无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器及其制备方法，属于半导体微电子器件领域，本发明忆阻器的忆阻功能层是采用生物质材料氨基酸为有机前驱体，通过分子层沉积工艺制备的氨基酸基有机‑无机杂化纳米超薄膜，功能材料环保且具有生物相容性，制备得到的忆阻器表现出典型的类神经突触功能，包括学习和记忆功能，而且本发明的制备工艺与微电子工艺兼容。

公开(公告)号：CN118829239A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410760368.1

申请日：2024-06-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  孙松 ,  张帅 ,  王晨 ,  朱琳 ,  吴迪

IPC: H10K30/10 ,  H10K71/10 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  H10K71/60 ,  H10K30/60 ,  G06N3/067

Abstract: 本发明公开了一种模拟神经突触的无机‑有机杂化纳米薄膜光电器件及其制备方法。本发明的光电器件结构包括：垂直结构，依次为衬底、底电极、光电材料层、顶电极；平面结构，依次为衬底、光电材料层、叉指电极。光电材料层为无机‑有机杂化薄膜和金属氧化物薄膜组成的双层纳米堆栈结构，无机‑有机杂化薄膜为金属基对苯二酚、金属基对氨基苯酚或金属基马来酸，金属氧化物薄膜为ZnO、TiO2、HfO2、ZrO2、MoO3、Ta2O5、GeO2、WO3、SnO2或IGZO。本发明采用分子层/原子层沉积技术制备无机‑有机杂化/金属氧化物薄膜，能与微电子工艺兼容并适合大规模集成，且所构建的光电器件已实现类神经突触的几项重要功能。