公开(公告)号：CN100553128C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200810018878.2

申请日：2008-01-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 公勋 ,  商晓莉 ,  章德

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/48 ,  H03H9/42 ,  B32B7/02 ,  B32B33/00 ,  B32B9/00

Abstract: 本发明公开了一种应用于如延迟线、滤波器以及谐振器等声表面波器件的温度稳定的复合多层结构材料。由36°-46°Y-X LiTaO3压电单晶基板和沉积其上的一层二氧化碲(TeO2)薄膜构成；声表面波器件结构处在两种材料的界面上。由于压电单晶基板和TeO2薄膜具有相反的温度系数，通过控制薄膜的厚度，可以发挥两种材料的温度补偿效应实现温度稳定性。有高达8%左右的机电耦和系数；可以实现零温度延迟系数(TCD)。实现零TCD所需非晶TeO2薄膜的厚度比传统的SiO2薄膜薄很多。更容易在工艺上实现。这种结构上制作的器件比在单晶基板上实现的器件更可靠。

公开(公告)号：CN101227178A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810018878.2

申请日：2008-01-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 公勋 ,  商晓莉 ,  章德

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/48 ,  H03H9/42 ,  B32B7/02 ,  B32B33/00 ,  B32B9/00

Abstract: 本发明公开了一种应用于如延迟线、滤波器以及谐振器等声表面波器件的温度稳定的复合多层结构材料。由36°－46°Y－X LiTaO3压电单晶基板和沉积其上的一层二氧化碲(TeO2)薄膜构成；声表面波器件结构处在两种材料的界面上。由于压电单晶基板和TeO2薄膜具有相反的温度系数，通过控制薄膜的厚度，可以发挥两种材料的温度补偿效应实现温度稳定性。有高达8％左右的机电耦和系数；可以实现零温度延迟系数(TCD)。实现零TCD所需非晶TeO2薄膜的厚度比传统的SiO2薄膜薄很多。更容易在工艺上实现。这种结构上制作的器件比在单晶基板上实现的器件更可靠。