公开(公告)号：CN1544315A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN200310106239.9

申请日：2003-11-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 胡征 ,  刘淳 ,  吴强 ,  王喜章 ,  陈懿

IPC: C01B21/072 ,  B01J23/74 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: 一种气相外延合成氮化铝一维纳米结构阵列的制备方法，以无水AlCl3为Al源，以含NH34％～20％的NH3/N2混和气作N源，中温下(700－1000℃)于管式炉中在负载有催化剂颗粒的基片上沉积得到AlN一维纳米结构阵列；其特征在于通过调节合成条件如AlCl3气化温度、反应温度、反应时间、载气流量、基片材料等可以可控的获得AlN的多种一维纳米结构，包括纳米锥、纳米柱(或棒)、纳米花、纳米珊瑚簇等。本发明发展了一种气－固相外延反应制备AlN一维纳米结构阵列的新方法。与其他方法相比，本方法反应条件温和，产物形貌可通过制备条件予以控制，从而为制备其他III族氮化物体系的一维纳米结构以及纳米电子器件的研制提供了一条新的途径。

公开(公告)号：CN1248957C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200310106239.9

申请日：2003-11-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 胡征 ,  刘淳 ,  吴强 ,  王喜章 ,  陈懿

IPC: C01B21/072 ,  B01J23/74 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: 一种气相外延合成氮化铝一维纳米结构阵列的制备方法，以无水AlCl3为Al源，以含NH34%～20%的NH3/N2混和气作N源，中温下(700-1000℃)于管式炉中在负载有催化剂颗粒的基片上沉积得到AlN一维纳米结构阵列；其特征在于通过调节合成条件如AlCl3气化温度、反应温度、反应时间、载气流量、基片材料等可以可控的获得AlN的多种一维纳米结构，包括纳米锥、纳米柱(或棒)、纳米花、纳米珊瑚簇等。本发明发展了一种气-固相外延反应制备AlN一维纳米结构阵列的新方法。与其他方法相比，本方法反应条件温和，产物形貌可通过制备条件予以控制，从而为制备其他III族氮化物体系的一维纳米结构以及纳米电子器件的研制提供了一条新的途径。