公开(公告)号：CN108895690A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810733529.2

申请日：2018-07-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  侯国智 ,  吴仰晴 ,  宋小瑛 ,  刘剑 ,  刘婧婧

IPC: F24S70/10 ,  B82Y30/00

CPC classification number: B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种硅基半导体-金属纳米复合材料，自外而内依次包括高温保护层、等离激元吸收层以及有序硅纳米柱阵列陷光层；所述高温保护层为氧化铝；所述等离激元吸收层为金纳米颗粒。本发明根据具有陷光特性的周期性硅纳米阵列结构，将金属溅射在上面可以拓宽硅的光吸收波段，从之前截止的1100nm拓宽到了全光谱，同时周期性纳米结构的光共振耦合吸收类光子晶体，使其吸收增强。

公开(公告)号：CN108895690B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201810733529.2

申请日：2018-07-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  侯国智 ,  吴仰晴 ,  宋小瑛 ,  刘剑 ,  刘婧婧

IPC: F24S70/10 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种硅基半导体‑金属纳米复合材料，自外而内依次包括高温保护层、等离激元吸收层以及有序硅纳米柱阵列陷光层；所述高温保护层为氧化铝；所述等离激元吸收层为金纳米颗粒。本发明根据具有陷光特性的周期性硅纳米阵列结构，将金属溅射在上面可以拓宽硅的光吸收波段，从之前截止的1100nm拓宽到了全光谱，同时周期性纳米结构的光共振耦合吸收类光子晶体，使其吸收增强。