公开(公告)号：CN1401558A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02138228.X

申请日：2002-09-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 胡征 ,  王喜章 ,  吴强 ,  付继江 ,  陈懿

IPC: C01B21/072 ,  C23C16/34

Abstract: 一种制备AlN纳米线及其阵列的方法，是一种宽隙带AlN纳米线及其阵列的中温制备方法，它采用金属Al或合金Al催化氮化法，以金属Al源和气态N源为原料，在孔性氧化铝模板上沉积，即得AlN纳米线及其阵列，在催化剂上即得AlN纳米线。本发明的AlN纳米线及其阵列的制备方法是中温化学气相沉积法。原料价廉、操作简单、合成时间短、温度较低，得到的是AlN纳米线及其阵列，直径从8nm到100nm可调，长度可控；其中采用了模板控制合成法，使所得AlN纳米线阵列的结构参数可调。因此是一种经济的获得高品质的AlN纳米线及其阵列的制备方法。

公开(公告)号：CN1241831C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN02138228.X

申请日：2002-09-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 胡征 ,  王喜章 ,  吴强 ,  付继江 ,  陈懿

IPC: C01B21/072 ,  C23C16/34

Abstract: 一种制备AlN纳米线及其阵列的方法，是一种宽隙带AlN纳米线及其阵列的中温制备方法，它采用金属Al或合金Al催化氮化法，以金属Al源和气态N源为原料，在孔性氧化铝模板上沉积，即得AlN纳米线及其阵列，在催化剂上即得AlN纳米线。本发明的AlN纳米线及其阵列的制备方法是中温化学气相沉积法。原料价廉、操作简单、合成时间短、温度较低，得到的是AlN纳米线及其阵列，直径从8nm到100nm可调，长度可控；其中采用了模板控制合成法，使所得AlN纳米线阵列的结构参数可调。因此是一种经济的获得高品质的AlN纳米线及其阵列的制备方法。

公开(公告)号：CN1397491A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02138035.X

申请日：2002-07-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 胡征 ,  霍开富 ,  付继江 ,  王喜章 ,  陈懿

IPC: C01B35/14 ,  C01B31/36 ,  B01J21/02

Abstract: 一种尘长BN和BC纳米结构材料的方法，以含氮或碳的气体或固体为氮源和碳源，以含硼20～70％的纳米“催化剂”合金粒子作硼源，高温下(1000－1300℃)在管式炉中反应生长BN纳米结构粒子；采用的含硼纳米催化剂合金微粒主要为Fe－B、Ni－B、Co－B、Fe－Ni－B、Fe－Co－B、Ni－Co－B等，其通式为FexB100－x、NiyB100－yCozB100－zFeaNibB100－a－bFeaCobB100－a－b、x、y、z取30－80，a+b取30－80。本发明方法制得了多种BN和BC纳米结构，提供的制备纳米结构的技术路线有利于探索新型双组元或多组元化合物纳米结构。