公开(公告)号：CN110556460A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910801271.X

申请日：2019-08-28

Applicant: 南京南邮信息产业技术研究院有限公司

Inventor： 王永进

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明公开了一种超薄垂直结构黄光LED及其制备方法，超薄垂直结构黄光LED，包括自下而上依次设置的电子沉积底层、n型GaN层、超晶格层、量子阱层、p型电子阻挡层、p型GaN层、Ag电极层、Sn/Au金属键合层、低阻硅衬底和电子沉积顶层，其中Ag电极层和Sn/Au金属键合层键合而成；原始晶圆的缓冲层、n型GaN层、超晶格层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层的总体厚度为d0，设定超薄垂直结构黄光LED的中心发光波长为λ，n型GaN层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层的总厚度为d1，则需保证d1小于λ。该超薄垂直结构黄光LED由原始晶圆和低阻硅衬底依次经过金属沉积、金属键合、衬底剥离、去除缓冲层、减薄n型GaN层，再次电极沉积制成；制得的超薄垂直结构黄光LED，能显著提升电光转换效率。

公开(公告)号：CN110676357A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910801226.4

申请日：2019-08-28

Applicant: 南京南邮信息产业技术研究院有限公司

Inventor： 王永进

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种超薄结构深紫外LED及其制备方法，超薄结构深紫外LED由从上往下依次设置的掺杂n型AlGaN层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层制成的总厚度小于600nm的深紫外LED。超薄结构深紫外LED制备方法：首先光刻定义器件，并通过刻蚀暴露出掺杂n型AlGaN层，其次生长SiO2钝化层，沉积电极，形成LED结构，通过倒装键合将LED器件和新衬底键合在一起，接着通过激光剥离或研磨抛光工艺去除蓝宝石衬底，进一步减薄去除AlN缓冲层和非掺杂AlGaN层，并减薄掺杂n型AlGaN层，剩余减薄的掺杂n型AlGaN层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层的总厚度小于600nm，形成超薄结构深紫外LED。该超薄结构深紫外LED能抑制器件内波导模式，提升器件的电光转换效率，提高器件的响应速度，根据应用需求不同，可作为发光器件、探测器件等用于率照明、显示和光通信领域。

公开(公告)号：CN110138457A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910282601.9

申请日：2019-04-10

Applicant: 南京南邮信息产业技术研究院有限公司

Inventor： 王永进 ,  杨博 ,  李金佳 ,  王林宁

IPC: H04B10/80 ,  H04B10/079 ,  G01D21/02

Abstract: 本发明公开了具备状态监控以及工况自适应的水下可见光通信系统，包括依次相连接的计算装置、以太网模块和光调制解调器，光调制解调器通过线缆与光学接收装置和光学发射装置相连接，其中：感光二极管检测光学发射装置发出的光照度，进而调用控制算法调节光学发射装置的工作电流与光照度；温度检测装置检测光学接收装置的内部温度，进而调节光电二极管的驱动电压和放大增益；光调制解调器根据接收的光照度、实际误码率和传输延迟，自动调节其传输速度。通过上述措施，达到了实时监测工作状态，以及自动调整工作电流、驱动电压，确保器件工作在线性区并且优化数据传输速度的技术目的。