公开(公告)号：CN113921392A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111033626.9

申请日：2021-09-03

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 李泽宇 ,  刘向 ,  陶治 ,  郭金宁 ,  凡可 ,  沈中坤 ,  陈玄申 ,  高涵博

IPC: H01L21/3065 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺，包括如下步骤：对衬底进行清洗干燥；在衬底上沉积单层PS小球；将其置于氧气等离子体蚀刻机的真空腔室内，设定相关工艺参数；预设单位蚀刻周期为连续的15秒氧气等离子体激发时间与30秒停止激发时间，使用的单位蚀刻周期的数量为N，蚀刻总时长T=N*15秒；取出衬底，蒸镀金属层，进行有机溶剂清洗和干燥处理，完成模板转移后，可用于微纳结构的制造。本发明解决了传统PS小球蚀刻过程中PS小球易融化所导致的PS小球光刻易失效、模板转移困难、PS小球残留物难以祛除等系列难题，通过实现高质量PS小球蚀刻工艺，来实现更为复杂精细的微纳结构制造。

公开(公告)号：CN113921392B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202111033626.9

申请日：2021-09-03

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 李泽宇 ,  刘向 ,  陶治 ,  郭金宁 ,  凡可 ,  沈中坤 ,  陈玄申 ,  高涵博

IPC: H01L21/3065 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺，包括如下步骤：对衬底进行清洗干燥；在衬底上沉积单层PS小球；将其置于氧气等离子体蚀刻机的真空腔室内，设定相关工艺参数；预设单位蚀刻周期为连续的15秒氧气等离子体激发时间与30秒停止激发时间，使用的单位蚀刻周期的数量为N，蚀刻总时长T=N*15秒；取出衬底，蒸镀金属层，进行有机溶剂清洗和干燥处理，完成模板转移后，可用于微纳结构的制造。本发明解决了传统PS小球蚀刻过程中PS小球易融化所导致的PS小球光刻易失效、模板转移困难、PS小球残留物难以祛除等系列难题，通过实现高质量PS小球蚀刻工艺，来实现更为复杂精细的微纳结构制造。