一种气体检测系统及其检测方法

    公开(公告)号:CN119395110B

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202411980065.7

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种气体检测系统,涉及传感器技术领域,用于解决现有技术中低体积分数气体时信号弱、检测气体种类单一以及测量精度低的技术问题,气体检测系统包括:气体传感器、数据处理器;气体传感器的输出端与数据处理器的输入端连接;气体传感器通过三组包括气敏场效应管的电路分别对三种气体进行采集;数据处理器根据气体传感器的输出信号计算三种气体浓度。本发明可以克服传统的半导体气体传感器存在检测低体积分数气体时信号弱的问题。

    一种N型横向器件及制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119789486A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202510281431.8

    申请日:2025-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种N型横向器件及制备方法,该器件在传统横向双扩散金属氧化物半导体基础上,增设另一组栅极与电流通路,通过下多晶硅栅与上多晶硅栅协同控制,形成两条并联的源漏电流通路;同时在N—硅层內嵌入一个浮置P型硅层,在相同击穿电压下,可以提高N—硅层的掺杂浓度,从而进一步降低器件的导通电阻。制备方法中利用Si‑SiO₂键合、离子注入、等离子刻蚀、原子层淀积及热氧化层生长等工艺方法制备器件,其制备工艺兼容标准CMOS工艺。在相同芯片面积下,本发明器件的电流密度提升至传统LDMOS的两倍以上;同时下层二氧化硅的设计,易于实现器件之间的完全隔离,提高器件的高温稳定性与抗辐照能力。

    一种气体检测系统及其检测方法

    公开(公告)号:CN119395110A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411980065.7

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种气体检测系统,涉及传感器技术领域,用于解决现有技术中低体积分数气体时信号弱、检测气体种类单一以及测量精度低的技术问题,气体检测系统包括:气体传感器、数据处理器;气体传感器的输出端与数据处理器的输入端连接;气体传感器通过三组包括气敏场效应管的电路分别对三种气体进行采集;数据处理器根据气体传感器的输出信号计算三种气体浓度。本发明可以克服传统的半导体气体传感器存在检测低体积分数气体时信号弱的问题。

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