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公开(公告)号：CN110080744A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910358160.6
申请日：2019-04-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: E21B47/00 , E21B47/017 , E21B47/06 , E21B47/07 , E21B47/13
Abstract: 本发明公开了一种基于单片集成传感器的井下探测装置及制备方法，本发明将传感器搭载在八轴飞行器上，利用GPS定位模块和超声波测距模块可以灵活地移动，因此可以通过远程的操控轻松实现矿井深处气体的检测，提高了安全性；本发明制作的基于石墨烯的单片集成传感器，实现了一个传感器对氨气、甲烷、一氧化碳、气压、温度以及湿度这六种矿井下重要因素的检测，便于综合分析井下的情况；采用了静压头，有效地避免了井下环境和飞行器的风压对单片集成传感器测量结果的影响，提高了测量的准确性。
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公开(公告)号：CN110080744B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201910358160.6
申请日：2019-04-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: E21B47/00 , E21B47/017 , E21B47/06 , E21B47/07 , E21B47/13
Abstract: 本发明公开了一种基于单片集成传感器的井下探测装置及制备方法，本发明将传感器搭载在八轴飞行器上，利用GPS定位模块和超声波测距模块可以灵活地移动，因此可以通过远程的操控轻松实现矿井深处气体的检测，提高了安全性；本发明制作的基于石墨烯的单片集成传感器，实现了一个传感器对氨气、甲烷、一氧化碳、气压、温度以及湿度这六种矿井下重要因素的检测，便于综合分析井下的情况；采用了静压头，有效地避免了井下环境和飞行器的风压对单片集成传感器测量结果的影响，提高了测量的准确性。
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公开(公告)号：CN111620295A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010460055.6
申请日：2020-05-27
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种微压探测压力传感器，SOI硅片的衬底硅底部经过刻蚀形成应力薄膜并与玻璃基底键合形成真空腔，在应力薄膜下方刻蚀凹形槽结构和中心质量聚集结构，分别位于一对压力敏感硅铝异质结构的下方和薄膜中心区域。器件层掺杂后刻蚀出一对压力敏感硅铝异质结构，一对温度参考硅铝异质结构以及四个对称的L型凸起结构，温度参考结构的电阻处于应变薄膜区域外不受应力影响，配合本发明的传感器恒温控制系统可以有效地消除温度漂移特性。本发明还公开了一种微压探测传感器测量装置，包括其配套电路及校准标定方法，结合其传感器新型压阻元件及应力薄膜的结构设计，可以平衡高灵敏度及高线性度的测量特性，达到实际微压测量的应用标准。
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公开(公告)号：CN111620295B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010460055.6
申请日：2020-05-27
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种微压探测压力传感器，SOI硅片的衬底硅底部经过刻蚀形成应力薄膜并与玻璃基底键合形成真空腔，在应力薄膜下方刻蚀凹形槽结构和中心质量聚集结构，分别位于一对压力敏感硅铝异质结构的下方和薄膜中心区域。器件层掺杂后刻蚀出一对压力敏感硅铝异质结构，一对温度参考硅铝异质结构以及四个对称的L型凸起结构，温度参考结构的电阻处于应变薄膜区域外不受应力影响，配合本发明的传感器恒温控制系统可以有效地消除温度漂移特性。本发明还公开了一种微压探测传感器测量装置，包括其配套电路及校准标定方法，结合其传感器新型压阻元件及应力薄膜的结构设计，可以平衡高灵敏度及高线性度的测量特性，达到实际微压测量的应用标准。
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