-
公开(公告)号：CN113564522A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110891752.1
申请日：2021-08-04
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及二氧化钒材料技术领域，尤其是一种二氧化钒薄膜及其制备方法及应用，现提出如下方案，其包括在基体上存在空位缺陷的表面侧制备覆盖在所述表面侧的二氧化钒薄膜。本发明通过在非晶石英基体上形成空位缺陷，利用磁控溅射技术在基体上具有空位缺陷的表面侧制备覆盖在其上的二氧化钒薄膜，进行二氧化钒的生长，这种方法制备的二氧化钒晶体结构会受到缺陷应力的挤压，导致键长、键角发生变化，并通过退火工艺优化二氧化钒薄膜的晶体结构，二氧化钒晶体结构的优化导致二氧化钒相变温度的降低，同时太阳光应用效率得到大幅提升，这种制备方法简单易操作，易于实现规模化制备。
-
公开(公告)号：CN113564522B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110891752.1
申请日：2021-08-04
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及二氧化钒材料技术领域，尤其是一种二氧化钒薄膜及其制备方法及应用，现提出如下方案，其包括在基体上存在空位缺陷的表面侧制备覆盖在所述表面侧的二氧化钒薄膜。本发明通过在非晶石英基体上形成空位缺陷，利用磁控溅射技术在基体上具有空位缺陷的表面侧制备覆盖在其上的二氧化钒薄膜，进行二氧化钒的生长，这种方法制备的二氧化钒晶体结构会受到缺陷应力的挤压，导致键长、键角发生变化，并通过退火工艺优化二氧化钒薄膜的晶体结构，二氧化钒晶体结构的优化导致二氧化钒相变温度的降低，同时太阳光应用效率得到大幅提升，这种制备方法简单易操作，易于实现规模化制备。
-
Search Results
2
records
(took 0.017 seconds)
