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公开(公告)号：CN210607638U
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201921972630.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了一种反射式极化扭转基片集成频率选择表面，采用SIW腔体，所述SIW腔体的顶部刻出水平放置的槽和垂直放置的槽；水平极化的平面波通过垂直放置的槽耦合进入SIW腔体，在腔内激励出的主模TM110；主模TM110的表面电流从中心扩向腔体的四面，腔体顶部的两个槽将SIW腔体的表面电流割断，通过水平放置的槽以垂直极化波的形式辐射至自由空间中。本实用新型与现有技术相比，在SIW腔体内激励出TM120/TM210双模谐振，可取得更宽的通带及更佳的频率选择特性，增强频率选择表面在斜入射时的稳定性；采用单层板，结构简单、性能易优化，且易于加工、降低了生产成本。
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