闪蒸系统
    1.
    发明公开
    闪蒸系统 审中-实审

    公开(公告)号:CN118681250A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410755783.8

    申请日:2024-06-12

    Abstract: 本申请涉及多晶硅制备技术领域,尤其涉及一种闪蒸系统。该闪蒸系统包括:第一闪蒸罐;多个还原炉,各还原炉的进液口均与第一闪蒸罐的出液口连接;第一管路,包括第一主管和多个第一支管,多个还原炉的出液口均与第一主管的一端连接,第一主管的另一端连接多个第一支管的一端,第一支管的另一端与第一闪蒸罐的内部连通;其中,各第一支管上分别安装有第一阀门。通过多个第一支管上的第一阀门对第一管路进行调节,可以较为精确的控制第一管路的最大流通量,进而较为精确的控制第一管路中冷却液的压力,使得冷却液在第一管路中不容易发生闪蒸,实现在整个操作范围内动态稳定调节控制闪蒸系统,提高闪蒸系统的灵活性和稳定性。

    一种用于还原炉前的气体混合装置

    公开(公告)号:CN118718787A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410909538.8

    申请日:2024-07-08

    Abstract: 本申请提供一种用于还原炉前的气体混合装置。该用于还原炉前的气体混合装置包括:混合件、至少一个加速通道和/或至少一个减速通道。其中,混合件设置在本体的内部,混合件用于容纳第一气体和第二气体;加速通道设置在本体1的内部,加速通道用于加速第一气体和第二气体的流通;减速通道设置在本体的内部,减速通道用于减速第一气体和第二气体的流通;加速通道能够提高第一气体和第二气体的流动速度,从而提高第一气体和第二气体的混合效率;减速通道能够减缓第一气体和第二气体的流动速度,从而增加第一气体和第二气体的混合时间,从而使得第一气体和第二气体的混合更加均匀;以解决使用填料对氢气和三氯硅气体进行混合存在混合效率低的问题。

    一种多晶硅生产方法及其应用
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119160896A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411066515.1

    申请日:2024-08-05

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅生产方法及其应用,该方法包括如下步骤:原料氢气与三氯氢硅气体发生还原反应,得到多晶硅;所述还原反应的总反应时长为T小时;所述还原反应的反应时长t满足:0≤t<n×T时,所述原料氢气为流量为Q1、温度为120‑150℃的高温氢气;所述还原反应的反应时长t满足:n×T≤t≤T时,所述原料氢气包括所述高温氢气,还包括流量为Q2、温度为10‑30℃的低温氢气;0.5≤n≤0.9;0.1≤Q2/Q1≤0.5。本发明提供的多晶硅生产方法具有可提高多晶硅产品中致密料比例的特点。

    汽化器排杂装置和多晶硅制备系统

    公开(公告)号:CN119075334A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411060759.9

    申请日:2024-08-05

    Abstract: 本申请提供一种汽化器排杂装置和多晶硅制备系统,涉及多晶硅制备技术领域,以解决相关技术中排杂效果较差的问题。汽化器排杂装置包括汽化器壳体,汽化器壳体具有汽化器釜,汽化器壳体的底部开设有多个排杂口,多个排杂口均连通汽化器釜和外部,多个排杂口用于排出气化过程中汽化器釜中的高沸物;各排杂口处设置有单向阀,单向阀用于控制排杂口的打开或关闭。本申请能够实现连续排杂,提高排杂效果,有助于保证汽化过程中高沸物及杂质的及时、有效排出,进而保证汽化器内原料三氯氢硅的纯度,提高汽化效率,进而最大程度保证多晶硅的制备纯度和产品质量。

    汽化过热装置和还原设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119565520A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411532857.8

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 本申请提供一种汽化过热装置和还原设备,涉及多晶硅制备技术领域,以解决相关技术的过热流程,不能较好对液相三氯氢硅进行预热,三氯氢硅的反应效率较低的问题。汽化过热装置包括预热器、汽化器和过热器;预热器壳体具有预热器釜,汽化器壳体具有汽化器釜,过热器壳体具有过热器釜;汽化器连通预热器和过热器,预热器靠近汽化器的进气口一侧,过热器靠近汽化器的排气口一侧,过热器用于与还原设备的还原炉连通;预热器用于对通入的液相三氯氢硅进行预热。本申请的过热流程,通过预热器能够在液相三氯氢硅进行汽化之前对其进行预热处理,从而有助于提高三氯氢硅的反应效率,进而提升后续加热过程中的热效率。

    汽化过热装置和还原设备
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119608058A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202411532686.9

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 本申请提供一种汽化过热装置和还原设备,涉及多晶硅制备技术领域,以解决相关技术中汽化器和过热器的连接方式导致反应过程中三氯氢硅的损耗较多、以及设备成本较高的问题。汽化过热装置包括汽化器和过热器;汽化器包括汽化器壳体,汽化器壳体具有汽化器釜,过热器壳体具有过热器釜;汽化器壳体的排气口与过热器壳体的进气口连通;且,汽化器和过热器为一体件。本申请有助于缩短反应过程中三氯氢硅的反应路径,从而有益于降低三氯氢硅的损耗,提高三氯氢硅的利用率,进而提高反应效率,保证反应的稳定性;同时,本申请将过热器和汽化器组合为一台设备,实现一步汽化加过热,最大程度节约管道和设备成本,也有利于节约装置占地面积。

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