公开(公告)号：CN109584939B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201811450860.X

申请日：2018-11-30

Applicant: 华立科技股份有限公司

Inventor： 赵强 ,  武占河 ,  李文周 ,  王玉娟 ,  金则群

IPC: G11C16/34

Abstract: 本发明提供了一种避免非易失存储器过擦写的方法，通过实时统计非易失Flash的擦写次数，从中锁定一些最频繁被擦写的地址，对于超过约定擦写次数的地址，可以暂时中止擦写，停止进一步对非易失Flash的损伤，同时通过通讯、显示，将异常地址上报，从而便于程序员知道问题隐患并可及时定位问题所在。通过本发明，可以在内部测试期间就发现问题，从而将隐患消灭在出厂前，降低生产成本。

公开(公告)号：CN109584939A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811450860.X

申请日：2018-11-30

Applicant: 华立科技股份有限公司

Inventor： 赵强 ,  武占河 ,  李文周 ,  王玉娟 ,  金则群

IPC: G11C16/34

Abstract: 本发明提供了一种避免非易失存储器过擦写的方法，通过实时统计非易失Flash的擦写次数，从中锁定一些最频繁被擦写的地址，对于超过约定擦写次数的地址，可以暂时中止擦写，停止进一步对非易失Flash的损伤，同时通过通讯、显示，将异常地址上报，从而便于程序员知道问题隐患并可及时定位问题所在。通过本发明，可以在内部测试期间就发现问题，从而将隐患消灭在出厂前，降低生产成本。