公开(公告)号：CN110679013A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880031460.7

申请日：2018-09-06

Applicant: 华盛顿州立大学

Inventor： 宋敏圭 ,  车永焕

IPC: H01M4/00 ,  H01M4/04 ,  H01M4/134 ,  H01M4/139 ,  H01M4/38 ,  H01M4/82 ,  C01B33/00 ,  C01B33/06

Abstract: 本文公开了适合用作阳极材料的硅材料及其相关的生产方法。在一实施例中，硅材料包括基质中的晶体硅和分布在晶体硅的基质中的宏观孔。宏观孔可以具有大于100纳米的尺寸，并且宏观孔的晶体硅的表面涂覆有碳。

公开(公告)号：CN110679013B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201880031460.7

申请日：2018-09-06

Applicant: 华盛顿州立大学

Inventor： 宋敏圭 ,  车永焕

IPC: H01M4/00 ,  H01M4/04 ,  H01M4/134 ,  H01M4/139 ,  H01M4/38 ,  H01M4/82 ,  C01B33/00 ,  C01B33/06

Abstract: 本文公开了适合用作阳极材料的硅材料及其相关的生产方法。在一实施例中，硅材料包括基质中的晶体硅和分布在晶体硅的基质中的宏观孔。宏观孔可以具有大于100纳米的尺寸，并且宏观孔的晶体硅的表面涂覆有碳。