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公开(公告)号:CN118398570A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410070919.1
申请日:2024-01-17
Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导器件的封装体,包括:功率半导体芯片,集成有传感器;塑封体,覆盖各功率半导体芯片;至少两根传感器引脚,部分传感器引脚从塑封体的第一侧穿入塑封体以电性连接传感器,部分传感器引脚从塑封体的第二侧穿入塑封体以电性连接传感器;至少两根功率引脚,与功率半导体芯片电性连接;至少两根控制引脚,与功率半导体芯片电性连接;其中,每根传感器引脚在穿入塑封体的位置与同电位且位于塑封体的同一侧的一根功率引脚、或同电位且位于塑封体的同一侧的一根控制引脚相邻设置。本发明传感器引脚与同电位的功率引脚或控制引脚相邻设置,同电位的引脚间距可以设置得较小从而为其他引脚留出空间,方便满足爬电距离及布线。
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公开(公告)号:CN117936493A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202410098926.2
申请日:2024-01-24
Applicant: 重庆大学 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/473 , H02M7/00 , H02M1/00 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种车用多芯片并联碳化硅功率模块,属于半导体器件技术领域。该碳化硅功率模块包括外壳、集成散热器基板、设置在所述集成散热器基板上的覆铜板以及焊接在所述覆铜板上的碳化硅开关单元、功率端子和信号端子。该碳化硅功率模块为三相半桥结构,每一相的半桥电路集成在一块覆铜板上,三相的覆铜板之间不存在电气连接。在单相覆铜板中,采用一体式铜框架实现碳化硅芯片之间的互联,将多个导电区连接形成半桥结构;其中,一体式铜框架通过焊接固定在覆铜板上。本发明通过一体式铜框架实现碳化硅芯片间的并联,提高了碳化硅芯片的通流能力、可靠性,并降低了寄生电感;同时,一体式铜框架做了开槽处理,可释放部分应力提高结合面的可靠性。
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公开(公告)号:CN221668814U
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202420119656.4
申请日:2024-01-17
Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种功率半导体器件的封装体,包括:功率半导体芯片,集成有传感器;塑封体,覆盖各功率半导体芯片;至少两根传感器引脚,部分传感器引脚从塑封体的第一侧穿入塑封体以电性连接传感器,部分传感器引脚从塑封体的第二侧穿入塑封体以电性连接传感器;至少两根功率引脚,与功率半导体芯片电性连接;至少两根控制引脚,与功率半导体芯片电性连接;其中,每根传感器引脚在穿入塑封体的位置与同电位且位于塑封体的同一侧的一根功率引脚、或同电位且位于塑封体的同一侧的一根控制引脚相邻设置。本实用新型传感器引脚与同电位的功率引脚或控制引脚相邻设置,同电位的引脚间距可以设置得较小从而为其他引脚留出空间,方便满足爬电距离及布线。
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