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公开(公告)号：CN112909176B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110096942.4
申请日：2021-01-25
Abstract: 本发明公开了一种活性层掺杂了GeSe二维纳米材料的有机太阳能电池及其制备方法；该有机太阳能电池由阴极基地、电子传输层、活性层、空穴传输层以及阳极层依次叠层；所述活性层为掺杂了GeSe二维纳米材料的P3HT:PCBM薄膜。在本发明的有机太阳能电池中，掺杂的GeSe二维纳米材料有高载流子迁移率(102cm2V‑1S‑1)、合适的能带带隙(1.2eV‑1.8eV)和高吸光系数(>104cm‑1)，提高活性层对光照的利用率和导电性；本发明中用GeSe粉末与无水乙醇配成溶液后机械剥离，将得到的含有GeSe二维纳米片的溶液与活性层溶液混合后旋涂成膜，更为环保。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112909176A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110096942.4
申请日：2021-01-25
Abstract: 本发明公开了一种活性层掺杂了GeSe二维纳米材料的有机太阳能电池及其制备方法；该有机太阳能电池由阴极基地、电子传输层、活性层、空穴传输层以及阳极层依次叠层；所述活性层为掺杂了GeSe二维纳米材料的P3HT:PCBM薄膜。在本发明的有机太阳能电池中，掺杂的GeSe二维纳米材料有高载流子迁移率(102cm2V‑1S‑1)、合适的能带带隙(1.2eV‑1.8eV)和高吸光系数(>104cm‑1)，提高活性层对光照的利用率和导电性；本发明中用GeSe粉末与无水乙醇配成溶液后机械剥离，将得到的含有GeSe二维纳米片的溶液与活性层溶液混合后旋涂成膜，更为环保。
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公开(公告)号：CN113690373B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202110770901.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HfS2为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法。该有机太阳能电池结构从下至上包括阳极层、空穴传输层、活性层、电子传输层以及阴极层；所述空穴传输层为HfS2。本发明的有机太阳能电池以HfS2作为空穴传输层代替传统的PEDOT:PSS，克服PEDOT:PSS的弱酸性对ITO、活性层的腐蚀以及PEDOT:PSS本身的低电导率缺点，同时提高太阳能电池的稳定性和转化效率。本发明采用液相剥离法制备二HfS2空穴传输层，具有工艺简单、易于调控的特点，制备的HfS2薄膜平整、致密；同时，制备HfS2过程在室温中进行，无需高温加热处理。
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公开(公告)号：CN113410388B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110547016.4
申请日：2021-05-19
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种界面修饰有机太阳能电池及其制备方法；所述有机太阳能电池包括依次层叠设置的阴极基底、电子传输层、活性层、空穴传输层和阳极层，其中电子传输层为表面修饰了生物材料的ZnO薄膜；所述生物材料为咖啡酸C9H8O4、阿魏酸C10H10O4、3，4‑二甲氧基肉桂酸C11H12O4中的一种。本发明经过所述生物材料修饰ZnO薄膜后，ZnO表面缺陷态降低，有效减少了器件的漏电流以及能够有效地抑制载流子的复合；器件性能得以提升，主要体现在有效的提升了短路电流密度以及填充因子。
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公开(公告)号：CN113690373A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110770901.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HfS2为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法。该有机太阳能电池结构从下至上包括阳极层、空穴传输层、活性层、电子传输层以及阴极层；所述空穴传输层为HfS2。本发明的有机太阳能电池以HfS2作为空穴传输层代替传统的PEDOT:PSS，克服PEDOT:PSS的弱酸性对ITO、活性层的腐蚀以及PEDOT:PSS本身的低电导率缺点，同时提高太阳能电池的稳定性和转化效率。本发明采用液相剥离法制备二HfS2空穴传输层，具有工艺简单、易于调控的特点，制备的HfS2薄膜平整、致密；同时，制备HfS2过程在室温中进行，无需高温加热处理。
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公开(公告)号：CN113410388A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110547016.4
申请日：2021-05-19
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种界面修饰有机太阳能电池及其制备方法；所述有机太阳能电池包括依次层叠设置的阴极基底、电子传输层、活性层、空穴传输层和阳极层，其中电子传输层为表面修饰了生物材料的ZnO薄膜；所述生物材料为咖啡酸C9H8O4、阿魏酸C10H10O4、3，4‑二甲氧基肉桂酸C11H12O4中的一种。本发明经过所述生物材料修饰ZnO薄膜后，ZnO表面缺陷态降低，有效减少了器件的漏电流以及能够有效地抑制载流子的复合；器件性能得以提升，主要体现在有效的提升了短路电流密度以及填充因子。
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