公开(公告)号：CN115537744B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202211153268.X

申请日：2022-09-21

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 邱兆国 ,  梁斯浙 ,  王刚 ,  龚岩嵩 ,  郑志刚 ,  曾德长 ,  夏卫星

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明公开了一种单质靶高通量制备SmCo合金永磁薄膜的方法，通过线切割的方法将圆形单质金属靶(Sm、Co、Fe、Cu等)切割为60°或30°的扇形，通过使用不同的拼接方式，可调整金属比例以及合金成分，使用磁控溅射系统在衬底上镀出成分呈连续梯度变化的合金薄膜，且通过不同过渡金属的切割拼接能实现多组分元素的掺杂，通过高通量表征筛选可快速获得特定成分的SmCo合金永磁薄膜。此方法基于高通量实验，可一次性制备与表征多组不同成分的薄膜样品，实现SmCo合金永磁薄膜的高效率、低成本的材料制备与材料设计。

公开(公告)号：CN116555715A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310397140.6

申请日：2023-04-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 邱兆国 ,  龚岩嵩 ,  郑昕锐 ,  郑志刚 ,  曾德长

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种钐钴基薄膜及其制备方法和应用，所述钐钴基薄膜包括SmxCoy组合靶层，所述SmxCoy组合靶层的组成为SmxCoy组合靶，其中x：y＝1:3～7；本发明通过协同调控靶材成分(SmxCoy的原子比例和/或Cu掺杂)和沉积/热处理温度制备SmCo基薄膜，精确调控相组成并实现矫顽力和剩磁比的协同提升，获得综合磁性能更优异的SmCo5基薄膜。

公开(公告)号：CN115537744A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211153268.X

申请日：2022-09-21

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 邱兆国 ,  梁斯浙 ,  王刚 ,  龚岩嵩 ,  郑志刚 ,  曾德长 ,  夏卫星

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明公开了一种单质靶高通量制备SmCo合金永磁薄膜的方法，通过线切割的方法将圆形单质金属靶(Sm、Co、Fe、Cu等)切割为60°或30°的扇形，通过使用不同的拼接方式，可调整金属比例以及合金成分，使用磁控溅射系统在衬底上镀出成分呈连续梯度变化的合金薄膜，且通过不同过渡金属的切割拼接能实现多组分元素的掺杂，通过高通量表征筛选可快速获得特定成分的SmCo合金永磁薄膜。此方法基于高通量实验，可一次性制备与表征多组不同成分的薄膜样品，实现SmCo合金永磁薄膜的高效率、低成本的材料制备与材料设计。