公开(公告)号：CN114249686A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111679930.0

申请日：2021-12-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 唐本忠 ,  王志明 ,  张翰 ,  黎刚刚 ,  郭学成

IPC: C07D209/86 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明属于有机光电材料技术领域，公开了一类含咔唑的近紫外光/紫外光有机半导体材料及其制备方法与在OLED中的应用。本发明通过在咔唑基元上连接上不同的修饰基团，调控咔唑衍生物的激发态性质，使该有机半导体材料固态下具有近紫外光或紫外光发射，且具有显著的热激子发光性能。本发明所制备的有机半导体材料可作为发光层使用，兼具高效固态发光和高电激发激子利用率的特征，从而得到电致发光性能优异、结构简单、成本低廉的近紫外光/紫外光有机电致发光器件。本发明的制备方法简单、原料易得、产率较高，产物结构稳定，在有机电致发光领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN114249686B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202111679930.0

申请日：2021-12-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 唐本忠 ,  王志明 ,  张翰 ,  黎刚刚 ,  郭学成

IPC: C07D209/86 ,  C09K11/06 ,  H10K50/11 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明属于有机光电材料技术领域，公开了一类含咔唑的近紫外光/紫外光有机半导体材料及其制备方法与在OLED中的应用。本发明通过在咔唑基元上连接上不同的修饰基团，调控咔唑衍生物的激发态性质，使该有机半导体材料固态下具有近紫外光或紫外光发射，且具有显著的热激子发光性能。本发明所制备的有机半导体材料可作为发光层使用，兼具高效固态发光和高电激发激子利用率的特征，从而得到电致发光性能优异、结构简单、成本低廉的近紫外光/紫外光有机电致发光器件。本发明的制备方法简单、原料易得、产率较高，产物结构稳定，在有机电致发光领域具有广阔的应用前景。