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公开(公告)号：CN109216399B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201811152566.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片，四个发光单元并联，正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体，光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外，整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本发明的制备方法，采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案，无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料，较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案，有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本发明的工艺流程简单、可靠。
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公开(公告)号：CN118052431A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410127398.9
申请日：2024-01-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06Q10/0635 , G06Q50/08 , G06N7/01
Abstract: 本发明公开了一种建筑施工交叉作业风险评估方法、系统、装置及介质，属于风险评估技术领域。其中方法包括：对建筑施工交叉作业事故和险情数据进行采集分析，获取建筑施工交叉作业的事故因素，根据事故致因理论建立事故因素的指标体系；挖掘事故因素的频繁项集，根据频繁项构建事故致因链，再将频繁项集构建成为事故致因链网络；以事故风险因素为节点，事故致因链网络为结构，构建贝叶斯风险网络；获取贝叶斯风险网络中的根节点条件概率表，根据根节点条件概率表获取最终的建筑施工交叉作业风险贝叶斯网络。本发明将2‑4model、频繁项集和贝叶斯网络构成混合模型应用于建筑施工交叉作业风险评估，降低主观性，提供科学性。
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公开(公告)号：CN109216399A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811152566.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片，四个发光单元并联，正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体，光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外，整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本发明的制备方法，采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案，无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料，较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案，有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本发明的工艺流程简单、可靠。
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公开(公告)号：CN109119436A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811151402.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种表面粗化的纳米孔LED阵列芯片及其制备方法。LED阵列芯片中，四个发光单元通过金属线连接实现串联，金属线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离；整个芯片表面都具有纳米孔。所述制备方法中，在使用负胶光刻和电子束蒸发沉积制备电极时，沉积四层金属薄膜之后，新增一层介质薄膜；同时，采用条状介质绝缘层隔离金属电极与半导体材料，在金属电极以外的其它区域没有介质薄膜；然后结合软膜纳米压印工艺，在整个凹凸起伏的芯片表面都可压印得到纳米孔图案，从而在整个芯片表面制备得到纳米孔；其中有源区域的纳米孔提高了辐射复合速率，整个芯片表面的纳米孔构成了表面粗化，都有利于光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。
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公开(公告)号：CN109166878B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201811151396.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10H29/10 , H10H20/84 , H10H20/819 , H10H20/00
Abstract: 本发明公开具有增透钝化层的纳米孔LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片，由N×N个发光单元组成，每个发光单元的阳极单独引出，所有发光单元共阴极；发光单元的有源区具有较深的纳米孔，纳米孔的深度超过量子阱层；GaN材料表面的介质薄膜层也分布有较浅的纳米孔，纳米孔的底部有介质薄膜。本发明通过有源区域上介质钝化层开槽，结合软膜纳米压印技术，使得有源区域的深纳米孔和钝化层的浅纳米孔可同时制备完成，有源区域的深纳米孔提高了辐射复合速率，钝化层的浅纳米孔构成了增透的钝化层，都有利于提高光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。此外，本发明的制备方法避免了深刻蚀工艺，具有工艺简单、良率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109119519B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201811151385.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片及其制备方法。光子晶体LED芯片包括发光单元呈圆台结构，圆台上分布有光子晶体；正电极分布在表面平坦化的圆台结构的电流扩展层上，电流扩展层包含欧姆接触层和电流横向扩散层双层结构；负电极分布在N型掺杂GaN材料上，负电极与N型掺杂GaN材料的分界面上分布有光子晶体。本发明在没有图案的平坦的外延片表面沉积透明电流扩展层，并退火形成欧姆接触；本发明有源区域的光子晶体提高了发光效率和调制带宽，负电极与N型掺杂GaN材料分界面上的接触面光子晶体以及双层结构的电流扩展层优化了欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN109166878A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811151396.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开具有增透钝化层的纳米孔LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片，由N×N个发光单元组成，每个发光单元的阳极单独引出，所有发光单元共阴极；发光单元的有源区具有较深的纳米孔，纳米孔的深度超过量子阱层；GaN材料表面的介质薄膜层也分布有较浅的纳米孔，纳米孔的底部有介质薄膜。本发明通过有源区域上介质钝化层开槽，结合软膜纳米压印技术，使得有源区域的深纳米孔和钝化层的浅纳米孔可同时制备完成，有源区域的深纳米孔提高了辐射复合速率，钝化层的浅纳米孔构成了增透的钝化层，都有利于提高光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。此外，本发明的制备方法避免了深刻蚀工艺，具有工艺简单、良率高的优点。
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公开(公告)号：CN109119519A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811151385.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片及其制备方法。光子晶体LED芯片包括发光单元呈圆台结构，圆台上分布有光子晶体；正电极分布在表面平坦化的圆台结构的电流扩展层上，电流扩展层包含欧姆接触层和电流横向扩散层双层结构；负电极分布在N型掺杂GaN材料上，负电极与N型掺杂GaN材料的分界面上分布有光子晶体。本发明在没有图案的平坦的外延片表面沉积透明电流扩展层，并退火形成欧姆接触；本发明有源区域的光子晶体提高了发光效率和调制带宽，负电极与N型掺杂GaN材料分界面上的接触面光子晶体以及双层结构的电流扩展层优化了欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN109119436B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201811151402.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种表面粗化的纳米孔LED阵列芯片及其制备方法。LED阵列芯片中，四个发光单元通过金属线连接实现串联，金属线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离；整个芯片表面都具有纳米孔。所述制备方法中，在使用负胶光刻和电子束蒸发沉积制备电极时，沉积四层金属薄膜之后，新增一层介质薄膜；同时，采用条状介质绝缘层隔离金属电极与半导体材料，在金属电极以外的其它区域没有介质薄膜；然后结合软膜纳米压印工艺，在整个凹凸起伏的芯片表面都可压印得到纳米孔图案，从而在整个芯片表面制备得到纳米孔；其中有源区域的纳米孔提高了辐射复合速率，整个芯片表面的纳米孔构成了表面粗化，都有利于光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。
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公开(公告)号：CN209947839U
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201821607940.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片。本实用新型的LED阵列芯片，四个发光单元并联，正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体，光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外，整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本实用新型的制备方法，采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案，无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料，较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案，有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本实用新型的工艺流程简单、可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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