公开(公告)号：CN114242815A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111407956.X

申请日：2021-11-19

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  江弘胜 ,  李国强 ,  李林浩 ,  黄星悦

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法，所述N极性GaN/AlGaN异质结外延结构包括在硅衬底上依次生长的低温N极性AlN缓冲层、非掺杂N极性AlGaN缓冲层、非掺杂N极性AlGaN层和非掺杂N极性GaN层。本发明提供的N极性GaN/AlGaN异质结外延结构，是一种高质量N极性GaN/AlGaN异质结的外延结构，能够实现高效率的功率电子器件。

公开(公告)号：CN114875492B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202210401587.1

申请日：2022-04-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  黄星悦 ,  李国强

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构及其制备方法，该结构包括在所述LaAlO3衬底上依次生长的非掺杂非极性GaN缓冲层、第一层p型掺杂非极性GaN层、第一层MgN层、第二层p型掺杂非极性GaN层、第二层MgN层、第三层p型掺杂非极性GaN层和p型盖帽层，LaAlO3衬底的晶体取向为(100)。本发明提供的生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构，是具有高质量晶体和空穴浓度的外延结构，能够应用于具有高效率的功率电子器件中。

公开(公告)号：CN114875492A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210401587.1

申请日：2022-04-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  黄星悦 ,  李国强

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  C30B33/02 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构及其制备方法，该结构包括在所述LaAlO3衬底上依次生长的非掺杂非极性GaN缓冲层、第一层p型掺杂非极性GaN层、第一层MgN层、第二层p型掺杂非极性GaN层、第二层MgN层、第三层p型掺杂非极性GaN层和p型盖帽层，LaAlO3衬底的晶体取向为(100)。本发明提供的生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构，是具有高质量晶体和空穴浓度的外延结构，能够应用于具有高效率的功率电子器件中。