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发明公开
一种具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极的制备方法无效

公开(公告)号：CN108417817A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810105797.X

申请日：2018-01-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘江文 , 毛亚雄 , 颜亮 , 胡仁宗 , 杨黎春 , 刘军 , 朱敏

IPC: H01M4/38 , H01M4/04

Abstract: 本发明公开了一种具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极的制备方法。该制备方法选用Si1-xMx合金靶材作为靶材原料，并结合磁控溅射工艺和热处理工艺，制备得到具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极。本发明方法选用Si1-xMx合金靶材作为靶材原料制备循环稳定性优异的Si1-xMx复合薄膜负极，薄膜中Si与M的原子比与Si1-xMx合金靶材的原子比非常接近，即能够通过靶材获得所需要的成分配比，而且薄膜中合金元素分布均匀；同时，热处理能有效缓解薄膜中的应力应变，且热处理的温度较低，耗能小，整体工艺简单，制备过程参数稳定，对设备要求较低，可重复性好。

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