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公开(公告)号:CN112382676B
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202011176805.3
申请日:2020-10-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种基于硅片双凹槽结构的太阳能电池栅线激光诱导印刷方法,包括:使用激光在硅片上刻蚀双凹槽结构以限制栅线印刷区域,利用激光诱导银浆薄膜在透明基片和双凹槽限制区域之间产生银浆桥,使激光沿着凹槽间隔区域延伸方向扫描,从而实现对银浆桥的拓展。通过垂直移动透明基片对银浆桥进行拉伸,直至银浆桥断裂,最终在硅片上获得具有高精度、高高宽比的栅线。本发明相比于传统的丝网印刷技术,能够降低成本,减少破损率。相比于原有的激光诱导转移方法,由于凹槽的存在,银浆和硅片的接触区域被限制在了凹槽间隔区域内。因此可以获得宽度更加稳定,具有更高精、更高高宽比的栅线。
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公开(公告)号:CN112382676A
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN202011176805.3
申请日:2020-10-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种基于硅片双凹槽结构的太阳能电池栅线激光诱导印刷方法,包括:使用激光在硅片上刻蚀双凹槽结构以限制栅线印刷区域,利用激光诱导银浆薄膜在透明基片和双凹槽限制区域之间产生银浆桥,使激光沿着凹槽间隔区域延伸方向扫描,从而实现对银浆桥的拓展。通过垂直移动透明基片对银浆桥进行拉伸,直至银浆桥断裂,最终在硅片上获得具有高精度、高高宽比的栅线。本发明相比于传统的丝网印刷技术,能够降低成本,减少破损率。相比于原有的激光诱导转移方法,由于凹槽的存在,银浆和硅片的接触区域被限制在了凹槽间隔区域内。因此可以获得宽度更加稳定,具有更高精、更高高宽比的栅线。
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公开(公告)号:CN110756986A
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201910998820.7
申请日:2019-10-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: B23K26/00 , B23K26/18 , B23K26/064 , B23K26/082 , B23K26/70 , G02B3/00
Abstract: 本发明公开了一种通过激光诱导前向转移制备微透镜阵列的方法与装置,包括激光器、光路调节模块以及材料转移模块,光路调节模块用于调整激光束的传递光路,光路调节模块具有光路进口和光路出口;材料转移模块包括第一XYZ轴移动平台、接收基片和透明基片,接收基片平行设置在透明基片下方,透明基片的下端面设有凹槽,所述凹槽内设有吸收层,吸收层下方设有材料转移层。激光束经光路模块后,聚焦并通过透明基片,吸收层中被激光束照射的部分汽化,在吸收层内部形成气泡,推动材料转移层中的材料,材料滴落到接收基片,在接收基片上形成阵列状的液滴,液滴固化后形成微透镜阵列。本发明无需制备掩模,缩短小规模生产中的生产周期,降低生产成本。
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