公开(公告)号：CN117832827B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410091906.2

申请日：2024-01-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 区俊辉 ,  钟佳颖 ,  郑鑫 ,  黄沫 ,  章秀银

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q13/10

Abstract: 本发明公开了一种具有高旁瓣抑制的高增益微带天线及通信设备，包括介质基板，所述介质基板的一个面设有天线辐射贴片，所述天线辐射贴片采用同轴馈电，所述天线辐射贴片设有两个槽和一个缝隙，每个所述槽内设置寄生贴片；通过两个槽和缝隙的协同作用，使得工作在高次模的微带天线的异相电流围绕天线辐射贴片流动，消除大部分异相电流，降低天线旁瓣电平；寄生贴片加载在槽中，寄生贴片被耦合激发出的表面电流与天线辐射贴片两侧电流完全同相，使得微带天线在保留高次模式的同时，更进一步加强旁瓣的抑制水平。本发明调控天线的远场辐射，在保持剖面低、结构简单的前提下，得到良好的旁瓣抑制水平以及较高方向增益。

公开(公告)号：CN117832827A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410091906.2

申请日：2024-01-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 区俊辉 ,  钟佳颖 ,  郑鑫 ,  黄沫 ,  章秀银

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q13/10

Abstract: 本发明公开了一种具有高旁瓣抑制的高增益微带天线及通信设备，包括介质基板，所述介质基板的一个面设有天线辐射贴片，所述天线辐射贴片采用同轴馈电，所述天线辐射贴片设有两个槽和一个缝隙，每个所述槽内设置寄生贴片；通过两个槽和缝隙的协同作用，使得工作在高次模的微带天线的异相电流围绕天线辐射贴片流动，消除大部分异相电流，降低天线旁瓣电平；寄生贴片加载在槽中，寄生贴片被耦合激发出的表面电流与天线辐射贴片两侧电流完全同相，使得微带天线在保留高次模式的同时，更进一步加强旁瓣的抑制水平。本发明调控天线的远场辐射，在保持剖面低、结构简单的前提下，得到良好的旁瓣抑制水平以及较高方向增益。