公开(公告)号：CN102304744A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110268892.X

申请日：2011-09-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李文芳 ,  王敏 ,  郭会勇 ,  黄文波

IPC: C25D11/26

Abstract: 本发明公开了一种微弧氧化制备钛酸锶钡介电薄膜及其方法，包括如下步骤：配置电解液采用乙酸钡或乙酸锶或两者的混合液，其中乙酸钡溶液的摩尔浓度在0~2.0mol/L之间，乙酸锶溶液的摩尔浓度在0~1.2mol/L之间；采用直流脉冲电源，电流密度为10~50A/dm2，脉冲频率为50~250Hz，占空比为60%~95%，处理时间为6~60min；将钛金属基体连接到阳极，反应时控制电解液的温度保持在50～60℃之间；反应后，取下被处理的钛金属，用蒸馏水冲洗，烘干。本发明工序简单、成膜速度快，薄膜与基体Ti的结合为冶金结合，薄膜具有优异的介电性能。

公开(公告)号：CN102277610A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110235787.6

申请日：2011-08-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李文芳 ,  郭会勇 ,  黄文波 ,  王敏

IPC: C25D11/26

Abstract: 本发明公开了一种在钛金属表面原位生长介电薄膜及其制备方法，包括如下步骤：配置电解液采用氢氧化钡或氢氧化锶或两者的混合液，其中氢氧化钡溶液的摩尔浓度在0~0.6mol/L之间，氢氧化锶溶液的摩尔浓度在0~0.3mol/L之间；采用直流脉冲电源，电流密度为100~500mA/cm2，脉冲频率为50~250Hz，占空比为60%~95%，处理时间为6~60min；将钛金属基体连接到阳极，反应时控制电解液的温度保持在50～60℃之间；反应后，取下被处理的钛金属，用蒸馏水冲洗，烘干。本发明工序简单、成膜速度快，薄膜与基体Ti的结合为冶金结合，薄膜具有优异的介电性能。