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公开(公告)号：CN103236528B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310140777.3
申请日：2013-04-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种锗碳石墨烯复合材料，由纳米级的锗、二氧化锗、团絮状的碳和还原氧化石墨烯复合而成，其中，二氧化锗包覆在锗的表层形成核壳，形成纳米核壳颗粒；所述纳米核壳颗粒均匀地弥散分布于团絮状的碳中，并被还原氧化石墨烯网络所包覆。本发明还公开了上述锗碳石墨烯复合材料的制备方法及应用。本发明制备的锗碳石墨烯复合材料兼顾了高容量、高倍率和高的循环稳定性特点，而且制备过程工艺简单，耗能少，产量高、无污染。
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公开(公告)号：CN103247803B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201310132216.9
申请日：2013-04-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯包覆纳米纯锗复合材料的制备方法，将锗粉与石墨粉或热处理的膨胀石墨采用介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨法进行球磨；或者先将锗粉进行介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨，然后将球磨后的锗粉与石墨粉或热处理的膨胀石墨混合后采用介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨法进行球磨。通过以上工艺步骤制备出的复合材料结构为纳米的锗颗粒被单层或多层石墨烯网络所均匀包覆；由于锗的高容量、优秀的锂离子扩散速率和石墨烯的高强度、高比表面积、高导电性等，该复合结构材料作为锂离子电池负极材料表现出高容量、高倍率及优异的循环性能。本发明工艺简单，耗能少，产量高，且对环境友好。
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公开(公告)号：CN103247803A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310132216.9
申请日：2013-04-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯包覆纳米纯锗复合材料的制备方法，将锗粉与石墨粉或热处理的膨胀石墨采用介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨法进行球磨；或者先将锗粉进行介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨，然后将球磨后的锗粉与石墨粉或热处理的膨胀石墨混合后采用介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨法进行球磨。通过以上工艺步骤制备出的复合材料结构为纳米的锗颗粒被单层或多层石墨烯网络所均匀包覆；由于锗的高容量、优秀的锂离子扩散速率和石墨烯的高强度、高比表面积、高导电性等，该复合结构材料作为锂离子电池负极材料表现出高容量、高倍率及优异的循环性能。本发明工艺简单，耗能少，产量高，且对环境友好。
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公开(公告)号：CN103236528A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310140777.3
申请日：2013-04-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种锗碳石墨烯复合材料，由纳米级的锗、二氧化锗、团絮状的碳和还原氧化石墨烯复合而成，其中，二氧化锗包覆在锗的表层形成核壳，形成纳米核壳颗粒；所述纳米核壳颗粒均匀地弥散分布于团絮状的碳中，并被还原氧化石墨烯网络所包覆。本发明还公开了上述锗碳石墨烯复合材料的制备方法及应用。本发明制备的锗碳石墨烯复合材料兼顾了高容量、高倍率和高的循环稳定性特点，而且制备过程工艺简单，耗能少，产量高、无污染。
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