-
公开(公告)号:CN117855879A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202410097854.X
申请日:2024-01-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01Q21/00 , H01Q21/06 , H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q25/04 , H01Q3/28 , H01Q3/32 , H01Q3/00 , H01Q1/52
Abstract: 本发明提供一种基于近场耦合和端口自去耦的宽角波束扫描相控阵及设计方法。该设计方法不同于传统方法需要引入额外的波束展宽和去耦结构,旨在通过巧妙利用单元间的近场耦合效应,直接获得宽波束有源单元方向图。同时,在相控阵中引入端口自去耦技术,以获得较高的端口隔离度,提高大扫描角度的波束增益。因此,在无需任何寄生结构的情况下,用一个典型的窄波束天线单元就能构造出结构极其简单、波束扫描性能极佳的相控阵。
-
公开(公告)号:CN116613526A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310372282.7
申请日:2023-04-07
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种MIMO DRA阵列及其自去耦方法,每一DRA的竖直侧面设置用于馈电的金属条,金属条竖直设置且底部连接同轴探针;所述方法包括:控制DRA的尺寸使其工作在TE11m高阶模式,m为大于等于3的奇数;通过选择金属条的尺寸参数,使所述高阶模式耦合到相邻未被激励的DRA的金属条的电场呈现驻波分布且电场在相邻未被激励的DRA的金属条的底部形成一个振幅为零的波节,由于同轴探针连接着金属条的底部,因此能量无法进入接收端口,从而能实现高隔离度,不需要任何额外的去耦结构,而且既适用于一维MIMO线性阵列,也适用于二维MIMO平面阵列。
-