公开(公告)号：CN103325910A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310244344.2

申请日：2013-06-19

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 汤勇 ,  万珍平 ,  陆龙生 ,  袁伟 ,  袁冬 ,  夏宏荣 ,  李宗涛

IPC: H01L33/24

Abstract: 本发明公开了一种基于微切削的LED表面强化出光结构的制作方法及多齿刀具，制作方法包括下述步骤：步骤1：取一已剥离转移衬底的倒装LED芯片，所述倒装LED芯片，从下至上分别为衬底、p型半导体层、有源层和n型半导体层；步骤2：利用多齿刀具在n型半导体层表面微切削形成微沟槽强化出光结构；步骤3：将LED芯片旋转一定角度，利用多齿刀具在n型半导体层表面再次切削，形成锥状强化出光微结构；多齿刀具具有多个使用聚焦等离子束加工而成的刀齿，且每个刀齿具有相同的前角、后角和切削角。本发明工艺更加简单，且加工表面微结构密度和形状可控，在同等工艺操作的情况下，更有利于提高发光二极管的出光效率。

公开(公告)号：CN102709425A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210172631.2

申请日：2012-05-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 汤勇 ,  丁鑫锐 ,  李宗涛 ,  袁冬 ,  蔡卓宇

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种具有金字塔阵列结构的LED芯片及其制造方法。一种具有金字塔阵列结构的LED芯片包括具有外延层的透明衬底、所述透明衬底顶部表面为金字塔阵列结构，透明衬底的底部为外延层，外延层的底部为芯片电极的正、负极，所述金字塔阵列结构由“V”字形沟槽阵列相互交错构成。本发明的芯片具有较大的比表面积，可大大增加汽化核心，有利于蒸发沸腾的过程中的汽化过程，使其具有优良的沸腾强化换热能力，其加工效率大大增高，加工工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN203510494U

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201320352730.9

申请日：2013-06-19

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 夏宏荣 ,  袁冬 ,  汤勇 ,  万珍平 ,  陆龙生 ,  袁伟 ,  李宗涛

IPC: B28D5/04

Abstract: 本实用新型公开了一种加工LED表面强化出光结构的多齿刀具，包括刀具本体和设置在刀具本体前端的多个使用聚焦等离子束加工而成的刀齿，且每个刀齿具有相同的前角、后角和切削角：其中，前角γ为0°～-60°，后角α为0°～+15°，切削角θ为30°～150°，所述刀齿的齿宽大于或等于LED表面强化出光结构的宽度，所述刀齿的齿高大于或等于LED表面强化出光结构的高度。本实用新型具有很高的加工精度和加工效率，通过这层表面微结构避免部分光因全反射而被芯片吸收，可以让芯片内发出的光最快、最大可能地折射到芯片外表面，从而提高发光二极管芯片的出光效率。