公开(公告)号：CN116053305B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202310040186.2

申请日：2023-01-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  侯冬曼 ,  周润杰 ,  李国强 ,  林廷钧 ,  赖全光 ,  肖嘉莹

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种具有双层异质结构的混合阳极GaN整流芯片及制备方法，由下至上依次层叠设置衬底、GaN层、第一势垒层及第二势垒层，所述第一势垒层与GaN层形成异质结，所述第二势垒层与第一势垒层形成异质结，双层异质结形成双层二维电子气，实现电子气的展宽，所述第二势垒层的上表面设置阴极结构和肖特基混合阳极结构。本发明与传统的SBD整流芯片相比，具有低开启电压、高工作电流等优点。

公开(公告)号：CN116053305A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310040186.2

申请日：2023-01-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  侯冬曼 ,  周润杰 ,  李国强 ,  林廷钧 ,  赖全光 ,  肖嘉莹

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种具有双层异质结构的混合阳极GaN整流芯片及制备方法，由下至上依次层叠设置衬底、GaN层、第一势垒层及第二势垒层，所述第一势垒层与GaN层形成异质结，所述第二势垒层与第一势垒层形成异质结，双层异质结形成双层二维电子气，实现电子气的展宽，所述第二势垒层的上表面设置阴极结构和肖特基混合阳极结构。本发明与传统的SBD整流芯片相比，具有低开启电压、高工作电流等优点。