公开(公告)号：CN118471686A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410529976.1

申请日：2024-04-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  姜雅思 ,  宁洪龙 ,  彭俊彪 ,  姜博诚 ,  苏国平 ,  梁志豪 ,  陈豪彦 ,  杨咏麟 ,  程伟鑫

IPC: H01G4/10 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种高透射的低漏电高介电常数复合薄膜及其制备与应用。所述复合薄膜基于原子层沉积所得，由氧化铪层和氧化铝层交替叠加得到。制备方法工艺简单，通过控制氧化铪和氧化铝在氧化铪‑氧化铝叠层复合薄膜中的厚度比例实现介电性能的调控，获得介电性能优异的复合介电薄膜，该薄膜具有高介电常数、低漏电和高介电强度，在可见光范围高透明，因此在透明电子器件领域有巨大的潜力。