公开(公告)号：CN120006345A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510101181.5

申请日：2025-01-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  谢少华 ,  李相融 ,  王俊锟 ,  王燕玲

IPC: C25B11/095 ,  C25B1/04 ,  C25B11/053

Abstract: 本发明属于光电化学制氢的技术领域，公开了一种P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂异质结光阴极及制备与应用。所述P掺杂镍层状双氢氧化物助催化剂异质结光阴极包括Si衬底、Si衬底上设置的InN纳米柱层、InN纳米柱表面设置的PM6层及PM6层表面设置的P掺杂Ni LDH助催化剂层。本发明还公开了光阴极的制备方法。本发明的光阴极中P掺杂Ni LDH助催化剂不仅增加了反应的催化活性位点，降低了HER所需的活化能，同时有效降低异质结光电极的起始电位，促进了光生载流子的解离、传输及在电极/电解液界面发生还原反应。本发明的光阴极用于光电化学水分解制氢，解决了制氢过程中的起始电位高、光电转换效率低等问题。

公开(公告)号：CN119372691A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411321486.9

申请日：2024-09-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  王俊锟 ,  梁杰辉 ,  谢少华 ,  王燕玲

IPC: C25B11/067 ,  C25B11/095 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25B11/031

Abstract: 本发明公开了一种n‑GaAs/CuSCN/甘油@PEDOT:PSS的PEC光电极及其制备与应用。该PEC光电极包括n‑GaAs衬底、甘油掺杂的PEDOT：PSS导电薄膜。本发明提出的n‑GaAs/CuSCN/甘油@PEDOT:PSS的PEC光电极，能够高效、简单地增强PEC电极的导电性，促进载流子迁移；同时，终产物复合结构增强光生载流子分离与转移效率，能显著提高光电转换效率。本发明的n‑GaAs/CuSCN/甘油@PEDOT:PSS的PEC光电极具有强的载流子迁移能力，对太阳光有较强太阳光利用率，适用于光电解水产氢。

公开(公告)号：CN118581485A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410518818.6

申请日：2024-04-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  王燕玲 ,  谢少华 ,  王俊锟 ,  梁杰辉 ,  李相融

IPC: C25B11/04 ,  C25B11/02 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25D11/26 ,  C23C14/24 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种n‑GaAs/NiO异质结光电极材料及其制备方法与应用，属于光电极的技术领域。该光电极材料包括自下而上的背面电极、n‑GaAs和NiO。本发明通过对制备的光电极进行电化学改性，从而构建n‑GaAs/NiO异质结促进了光生空穴的传输，有效提升光电流密度，明显降低了光电极的起始电位，并实现了高效的光电解水性能。本发明的光电极材料制备方法简易、成本低、稳定性好，为推动GaAs基光电极水分解产业化进程提供了良好的基础。