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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101752664B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201010019427.8
申请日：2010-01-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开基于正交耦合馈电的环形圆极化陶瓷天线，包括上层微带天线结构、上层介质基板、中层介质基板、金属地板层、下层介质基板和底层Wilkinson功分器；上层微带天线结构为环形天线，两金属圆片是分别以两点为圆心的小圆片，两金属圆片分别位于两圆弧与内圆区域内；底层Wilkinson功分器层由高阻线、第一低阻抗线、第二低阻抗线以及贴片电阻组成；高阻线的特征阻抗为第一低阻抗线或第二低阻抗线的特征阻抗z0的倍；上层介质基板、中层介质基板和下层介质基板均为陶瓷介质。该天线馈电机制采用两个圆形金属片，产生两幅度相同且相互正交的电流源，拓展环形金属天线中的轴比带宽，增加天线的调节的自由度。
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公开(公告)号：CN102013551A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010283707.X
申请日：2010-09-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种基于带状线多缝隙耦合馈电的圆极化陶瓷天线，包括包括上层微带天线辐射体、上层介质基板，中层介质基板、下层馈电带状线和同轴馈电线。下层馈电带状线由介质基板层、附着在介质基板上下表面的上下层金属地板层和在介质基板层中间的金属馈电线组成。带状线上层金属地板中心有由3个十字缝组成的馈电缝隙，金属馈电线通过该缝隙对上层微带天线结构进行耦合馈电，带状线的上下两层金属地板层通过多个属的圆柱形过孔相连。该天线采用由3个十字缝来组成的馈电缝隙，来增加天线的工作带宽和3dB圆极化轴比带宽。采用方形环介质基板和带状线耦合馈电，来提高天线的增益。该天线具有小型化、宽带化、结构紧凑、便于加工和集成的特点。
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公开(公告)号：CN101752664A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010019427.8
申请日：2010-01-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开基于正交耦合馈电的环形圆极化陶瓷天线，包括上层微带天线结构、上层介质基板、中层介质基板、金属地板层、下层介质基板和底层Wilkinson功分器；上层微带天线结构为环形天线，两金属圆片是分别以两点为圆心的小圆片，两金属圆片分别位于两圆弧与内圆区域内；底层Wilkinson功分器层由高阻线、第一低阻抗线、第二低阻抗线以及贴片电阻组成；高阻线的特征阻抗为第一低阻抗线或第二低阻抗线的特征阻抗z0的倍；上层介质基板、中层介质基板和下层介质基板均为陶瓷介质。该天线馈电机制采用两个圆形金属片，产生两幅度相同且相互正交的电流源，拓展环形金属天线中的轴比带宽，增加天线的调节的自由度。
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公开(公告)号：CN102013551B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010283707.X
申请日：2010-09-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种基于带状线多缝隙耦合馈电的圆极化陶瓷天线，包括包括上层微带天线辐射体、上层介质基板，中层介质基板、下层馈电带状线和同轴馈电线。下层馈电带状线由介质基板层、附着在介质基板上下表面的上下层金属地板层和在介质基板层中间的金属馈电线组成。带状线上层金属地板中心有由3个十字缝组成的馈电缝隙，金属馈电线通过该缝隙对上层微带天线结构进行耦合馈电，带状线的上下两层金属地板层通过多个属的圆柱形过孔相连。该天线采用由3个十字缝来组成的馈电缝隙，来增加天线的工作带宽和3dB圆极化轴比带宽。采用方形环介质基板和带状线耦合馈电，来提高天线的增益。该天线具有小型化、宽带化、结构紧凑、便于加工和集成的特点。
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公开(公告)号：CN201674000U
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201020126832.5
申请日：2010-03-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01Q13/08
Abstract: 本实用新型公开一种基于正交同轴馈电的圆极化陶瓷天线，包括上层微带天线结构、上层介质基板、金属地板层、下层介质基板和底层Wilkinson功分器；两馈电同轴线分别将第一低阻抗线、第二低阻抗线与上层微带天线结构连接在一起；两馈电同轴线的中心与上层微带天线结构的几何中心之间的连线构成的夹角为90度；两同轴线得间距为0.069λ，与上层微带天线结构的几何中心的距离为0.049λ。该天线采用两个距离足够小的正交同轴线馈电，产生足够大的电容，以抵消由于使用具有高介电常数的陶瓷介质所引起的同轴馈电线附件电感，达到改善天线的匹配性能，提高天线的增益的功能。该天线具有小型化、宽带化合结构紧凑、便于加工的特点。
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