一种空心金属-氮共掺杂碳基纳米片阵列及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114496582B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202111516169.9

    申请日:2021-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种空心金属‑氮共掺杂碳基纳米片阵列及其制备方法与应用。本发明通过将导电基底浸泡在2‑甲基咪唑和锌盐的水溶液中,第一次静置后取出并洗涤,随后浸泡在2‑甲基咪唑和金属盐的水溶液中,第二次静置后取出并洗涤;重复上述操作n次,得到生长在导电基底上的2n层ZIF‑L纳米片阵列;将所述2n层ZIF‑L纳米片阵列干燥,在惰性气氛保护下进行热解,得到具有n层空心金属‑氮共掺杂碳基纳米片阵列;其中,n为大于0的整数。本发明操作简便,制备过程绿色环保,所制备产品纯度高,结构可控,机械强度强,可直接作为电极材料使用,实现大面积电极的制备,所制备的材料和磷化物衍生材料表现出优异的HER性能和稳定性。

    一种空心金属-氮共掺杂碳基纳米片阵列及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114496582A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111516169.9

    申请日:2021-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种空心金属‑氮共掺杂碳基纳米片阵列及其制备方法与应用。本发明通过将导电基底浸泡在2‑甲基咪唑和锌盐的水溶液中,第一次静置后取出并洗涤,随后浸泡在2‑甲基咪唑和金属盐的水溶液中,第二次静置后取出并洗涤;重复上述操作n次,得到生长在导电基底上的2n层ZIF‑L纳米片阵列;将所述2n层ZIF‑L纳米片阵列干燥,在惰性气氛保护下进行热解,得到具有n层空心金属‑氮共掺杂碳基纳米片阵列;其中,n为大于0的整数。本发明操作简便,制备过程绿色环保,所制备产品纯度高,结构可控,机械强度强,可直接作为电极材料使用,实现大面积电极的制备,所制备的材料和磷化物衍生材料表现出优异的HER性能和稳定性。

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