公开(公告)号：CN113257979A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110519122.1

申请日：2021-05-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 张晓辉 ,  王磊 ,  彭俊彪 ,  李洪濛 ,  梁苑茹

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种芯片转移基板、芯片转移装置和芯片转移方法。该芯片转移基板包括转移载板和光辐射释放膜层；光辐射释放膜层设置于转移载板的表面，光辐射释放膜层用于转移待转移芯片，并在待转移芯片转移后通过光辐射释放待转移芯片。在芯片转移基板转移待转移芯片时，可以实现采用光辐射的方式快速的批量转移待转移芯片，不仅能够有效地克服了采用转移头转移待转移芯片时的物理空间、机械运动等诸多限制，提高了待转移芯片批量转移的效率。另外，使用光辐射释放膜层转移待转移芯片时，可以适应待转移芯片之间具有不同的间距，从而提高了芯片转移基板的通用性。

公开(公告)号：CN114825013A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210427209.0

申请日：2022-04-21

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 张晓辉 ,  谢昕 ,  梁苑茹 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01S3/10 ,  H01S3/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种激光晶化装置。该装置包括：准分子激光器和激光脉宽调节装置；准分子激光器用于生成并发射预设脉冲宽度的激光光束；激光脉宽调节装置设置于准分子激光器发射激光的一侧，其中，激光脉宽调节装置包括分束器、反射组件和补偿片；分束器用于将预设脉冲宽度的激光光束分为出射光束和反射光束，初次出射光束到达待晶化样品并对其进行晶化；反射光束经过反射组件的反射到达补偿片后再次通过分束器，从而再次得到出射光束和反射光束，出射光束到达待晶化样品并对其进行晶化，补偿片用于调节反射组件将反射光束反射到分束器的反射率。本发明实施例的技术方案可实现激光脉宽可调，且可降低激光脉冲峰值功率，从而有效改善激光晶化效果。

公开(公告)号：CN113257978A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110518858.7

申请日：2021-05-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 张晓辉 ,  王磊 ,  彭俊彪 ,  李洪濛 ,  梁苑茹

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种芯片转移装置和芯片转移方法。该芯片转移装置包括掩膜版、投影元件、芯片转移基板以及芯片承载基板；投影元件设置于掩膜版远离光源的一侧，投影元件用于对掩膜版出射的光线进行投影；芯片转移基板用于在转移待转移芯片时设置于投影元件远离掩膜版的一侧，芯片转移基板用于转移待转移芯片，并通过光辐射释放待转移芯片；芯片承载基板设置于芯片转移基板远离投影元件的一侧，芯片承载基板用于承载所待转移芯片。可以有效地防止掩膜版被刮伤的现象，而且可以根据需要降低掩膜版的加工难度。另外，可以提高芯片转移的效率，同时芯片转移基板可以适应待转移芯片之间具有不同的间距，从而提高芯片转移基板的通用性。