公开(公告)号：CN118038186A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410364855.6

申请日：2024-03-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 曹姗姗 ,  王秋姝 ,  张新平 ,  柳帅 ,  柯常波

IPC: G06V10/764 ,  G16C60/00 ,  G06F30/20 ,  G06V10/75

Abstract: 本发明涉及多变体结构变体识别的可视化方法，首先分别获得该物相体系中参考结构与各变体之间的晶体学取向对应关系，分别确定其晶体结构在特征晶面上的投影，并选择特征原子组作为基本单元，将该组原子的投影对照图作为匹配模板。其次将原子尺度模拟方法获得的数据结果进行可视化，选择待识别区域，在特征晶面上选定特征原子组，然后追踪这些原子在待识别变体结构中的排布方式，并与其模板结构特征参数进行比较，从而精确识别变体类型。最后选定已知变体进行可视化标注。通过本发明的可视化方法，可以在微观尺度上对于物相结构中不同取向变体进行精确识别和鉴定，为后续揭示和设计材料功能行为提供重要参考。

公开(公告)号：CN118332850A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410409179.X

申请日：2024-04-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 张新平 ,  柳舒航 ,  柯常波

IPC: G06F30/23 ,  G16C60/00 ,  G16C20/30 ,  G06F119/08 ,  G06F111/06

Abstract: 本发明涉及薄膜铂电阻工艺优化的有限元模型及构建和辅助优化方法，有限元模型的构建方法包括，构建铂薄膜的晶粒生长相场模拟初始模型，导入有限元分析软件；基于经典的晶粒生长的相场模拟，获取描述晶粒生长的控制方程；将控制方程转化为能被有限元分析软件识别的一般数学模式；将一般数学模式转化结果设定为边界条件，根据经典相场模拟的原理赋予初始值，在网格划分后进行有限元求解，获得晶粒生长相场模型；采用经典相场模拟表达式，将晶粒生长相场模型模拟求解结果设置为输出变量；根据晶粒生长相场模型模拟输出结果，构建得到电导率分析模型。在本发明提供的模型指导下，可获得低成本、高电阻温度系数的薄膜铂电阻温度传感器。