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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114592139B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210096705.2
申请日：2022-01-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种颗粒双相AlTiCrNiCu增强SiCp/Al复合材料及其制备方法。通过高温煅烧+球磨的方法，将SiC尖角裂解、磨钝，减小复合材料受力时在碳化硅处的应力集中，提高复合材料力学性能。所添加高熵合金化学元素组成为AlTiCrNiCu，其晶体结构为FCC+BCC双相结构，具有良好的强度和塑性，与铝基体有良好的界面结合。制得的复合材料增强体分布均匀，晶粒细小，无明显孔隙；具有高的强度、硬度和良好的耐磨性能。通过压力浸渗法制得的复合材料密度为2.94～3.09g/cm3，致密度为98.2～99.5％，塑性较一般方法制得的SiCp/Al有明显提高，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN114372325B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202111604732.8
申请日：2021-12-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F17/11 , G06F111/10 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了基于半固态粘度方程的数值模拟技术制造半固态铝合金挤压铸造零件的方法。包括以下步骤：将7050半固态铝合金材料进行热压缩试验，测得其真应力‑真应变曲线；将获得的真应力‑真应变数据进行转换计算，建立7050半固态铝合金的粘度方程；建立待加工零件模具的三维模型，将建立的半固态粘度方程输入到数值模拟软件中，并添加实际生产成型过程中的工况条件，包括环境参数及材料的热物性参数等。对零件和模具进行装配并进行网格划分；输入挤压铸造工艺参数并进行计算，得到数值模拟挤压铸造结果。本发明采用导入自己测试拟合的半固态粘度方程进行挤压铸造的数值模拟，显著提高数值模拟软件的准确度，有效提高模拟软件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114372325A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111604732.8
申请日：2021-12-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F17/11 , G06F111/10 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了基于半固态粘度方程的数值模拟技术制造半固态铝合金挤压铸造零件的方法。包括以下步骤：将7050半固态铝合金材料进行热压缩试验，测得其真应力‑真应变曲线；将获得的真应力‑真应变数据进行转换计算，建立7050半固态铝合金的粘度方程；建立待加工零件模具的三维模型，将建立的半固态粘度方程输入到数值模拟软件中，并添加实际生产成型过程中的工况条件，包括环境参数及材料的热物性参数等。对零件和模具进行装配并进行网格划分；输入挤压铸造工艺参数并进行计算，得到数值模拟挤压铸造结果。本发明采用导入自己测试拟合的半固态粘度方程进行挤压铸造的数值模拟，显著提高数值模拟软件的准确度，有效提高模拟软件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114592139A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210096705.2
申请日：2022-01-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种颗粒双相AlTiCrNiCu增强SiCp/Al复合材料及其制备方法。通过高温煅烧+球磨的方法，将SiC尖角裂解、磨钝，减小复合材料受力时在碳化硅处的应力集中，提高复合材料力学性能。所添加高熵合金化学元素组成为AlTiCrNiCu，其晶体结构为FCC+BCC双相结构，具有良好的的强度和塑性，与铝基体有良好的界面结合。制得的复合材料增强体分布均匀，晶粒细小，无明显孔隙；具有高的强度、硬度和良好的耐磨性能。通过压力浸渗法制得的复合材料密度为2.94～3.09g/cm3，致密度为98.2～99.5％，塑性较一般方法制得的SiCp/Al有明显提高，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN112259615A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011016178.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种空间用GaAs太阳电池叠层减反射膜及其制备方法与应用。所述减反射膜由TiO2层、Si3N4层及SiO2层多次交替堆叠而成，TiO2层、Si3N4层及SiO2层的光学厚度分别为各层对应材料参考波长的0.1～0.25倍；其中TiO2层的折射率为2.5～2.7，Si3N4层的折射率为1.8～2.0，SiO2层的折射率为1.4～1.6。所述减反射膜在宽光谱范围内与太阳光谱有较好的匹配性(300～1400nm范围内平均反射率低至6.71％)，同时对GaAs太阳电池表面有较好的钝化作用，减反射效果较常规的减反射膜体系有所提升。
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