公开(公告)号：CN118414064A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410336728.5

申请日：2024-03-22

Applicant: 华南理工大学 ,  松山湖材料实验室

Inventor： 傅年庆 ,  梅傲寒 ,  李欣玮 ,  薛启帆

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K30/50 ,  H10K30/88 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明公开一种1D/3D卤化物钙钛矿梯度异质结的制备方法及其应用。制备方法包括：S1，配制卤化物钙钛矿前驱体溶液；S2，将钙钛矿前驱体溶液旋涂于基底上，退火处理得到3D钙钛矿薄膜；S3，将有机铵盐配体溶于异丙醇溶液中，充分搅拌得到配体溶胶；S4，将配体溶胶旋涂于3D钙钛矿薄膜上；S5，将所得薄膜退火处理，得到1D/3D钙钛矿异质结薄膜。本发明的1D/3D卤化物钙钛矿梯度异质结制备简单，可通过改变有机盐配体阴离子种类来调节1D钙钛矿在3D钙钛矿薄膜表面的含量、渗入深度和分布梯度。将1D/3D钙钛矿梯度异质结作为吸光层应用于钙钛矿太阳能电池，可以同时提升钙钛矿太阳能电池的光电转化效率和稳定性。

公开(公告)号：CN119486561A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411532678.4

申请日：2024-10-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 傅年庆 ,  彭小草 ,  李欣玮 ,  薛启帆 ,  陈子鸣

IPC: H10K71/60 ,  H10K30/81 ,  H10K85/50 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明公开了一种采用低熔点合金背电极的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池包括依次叠层的透明导电基底、载流子传输层1、钙钛矿吸光层、载流子传输层2、低熔点合金背电极；所述低熔点合金背电极制备方法具体为：S1，将低熔点合金箔平铺于载流子传输层2上；S2，通过压力模具对合金箔施加一定压力；S3，加热，使合金背电极贴合在载流子传输层2上，冷却得到钙钛矿太阳能电池。本发明的热压法制备低熔点合金背电极的材料成本低、工艺简单快捷、无需真空及高温条件。本发明制备的钙钛矿太阳能电池效率高、稳定性及重复性好、工艺简单、成本低、适合规模生产。