公开(公告)号：CN113024245B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110379857.9

申请日：2021-04-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 张志杰 ,  李政东 ,  钟明峰 ,  徐威

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 一种高击穿强度的介电陶瓷材料及其制备方法。本发明的介电陶瓷材料具有高击穿强度，其制备方法包括以下步骤：1)按化学式aTiO2‑bSiO2‑cAl2O3‑xCa3(PO4)2中各试剂的配比称取原料；2)将称取的试剂加入去离子水和氧化锆球磨珠进行球磨，然后添加PVA后对浆料进行喷雾干燥。将得到的混合原料在30MPa下单轴压入直径为15mm的模具中，获得厚度为0.5mm的圆柱形生胚；3)将制备的圆柱形生胚的粘合剂排出，然后在1200～1300℃下烧结，得到烧好的陶瓷片。本发明的介电陶瓷材料具有较高的击穿强度，其制备工艺简单、生产成本低、无铅环保，在高压固态脉冲功率系统中具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN113024245A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110379857.9

申请日：2021-04-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 张志杰 ,  李政东 ,  钟明峰 ,  徐威

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 一种高击穿强度的介电陶瓷材料及其制备方法。本发明的介电陶瓷材料具有高击穿强度，其制备方法包括以下步骤：1)按化学式aTiO2‑bSiO2‑cAl2O3‑xCa3(PO4)2中各试剂的配比称取原料；2)将称取的试剂加入去离子水和氧化锆球磨珠进行球磨，然后添加PVA后对浆料进行喷雾干燥。将得到的混合原料在30MPa下单轴压入直径为15mm的模具中，获得厚度为0.5mm的圆柱形生胚；3)将制备的圆柱形生胚的粘合剂排出，然后在1200～1300℃下烧结，得到烧好的陶瓷片。本发明的介电陶瓷材料具有较高的击穿强度，其制备工艺简单、生产成本低、无铅环保，在高压固态脉冲功率系统中具有广泛的应用前景。